期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模
被引量:
5
1
作者
王军
王林
王丹丹
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第23期246-252,共7页
用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件,是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声分析的重要基础.本文基于40 nm...
用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件,是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声分析的重要基础.本文基于40 nm MOSFET的器件物理结构,并结合漂移-扩散方程和电荷守恒定律,提出了基于物理的高频感应栅极电流噪声模型及其与漏极电流噪声的互相关噪声模型,以此来统一表征噪声从弱反区到强反区的频率与偏置依赖性.本文通过将有效栅极过载引入高频噪声模型中,使得统一模型具有良好的准确性、连续性和平滑性.最后,通过所建模型的仿真结果与实验结果的数据比较,验证了本文所建模型的准确性及其对长沟道器件在强反区的适用性.
展开更多
关键词
40
nm金属氧化物半导体场效应晶体管
高频噪声模型
偏置依赖性
下载PDF
职称材料
纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模
2
作者
王林
王军
王丹丹
《电子技术应用》
北大核心
2016年第10期37-39,共3页
衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将...
衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将模型的仿真结果与实验结果相比较,验证了模型的准确性。同时对衬底电流与沟道长度和偏置电压的关系进行了分析研究,结果表明,衬底电流具有显著的沟道长度与偏置依赖性。
展开更多
关键词
衬底电流
纳米级MOSFET
偏置依赖性
下载PDF
职称材料
题名
40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模
被引量:
5
1
作者
王军
王林
王丹丹
机构
西南科技大学信息工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第23期246-252,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:69901003)资助的课题~~
文摘
用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件,是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声分析的重要基础.本文基于40 nm MOSFET的器件物理结构,并结合漂移-扩散方程和电荷守恒定律,提出了基于物理的高频感应栅极电流噪声模型及其与漏极电流噪声的互相关噪声模型,以此来统一表征噪声从弱反区到强反区的频率与偏置依赖性.本文通过将有效栅极过载引入高频噪声模型中,使得统一模型具有良好的准确性、连续性和平滑性.最后,通过所建模型的仿真结果与实验结果的数据比较,验证了本文所建模型的准确性及其对长沟道器件在强反区的适用性.
关键词
40
nm金属氧化物半导体场效应晶体管
高频噪声模型
偏置依赖性
Keywords
40 nm metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, high-frequency noise model, biasdependence
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模
2
作者
王林
王军
王丹丹
机构
西南科技大学信息工程学院
出处
《电子技术应用》
北大核心
2016年第10期37-39,共3页
文摘
衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将模型的仿真结果与实验结果相比较,验证了模型的准确性。同时对衬底电流与沟道长度和偏置电压的关系进行了分析研究,结果表明,衬底电流具有显著的沟道长度与偏置依赖性。
关键词
衬底电流
纳米级MOSFET
偏置依赖性
Keywords
substrate current
nanoscale MOSFET
bias dependence
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模
王军
王林
王丹丹
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
下载PDF
职称材料
2
纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模
王林
王军
王丹丹
《电子技术应用》
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部