一种新型偏置栅MOS管漂移区表面电压和电场的分析模型

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型 ,借助数学推导得到该模型的计算方程 ,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系 。

CMOS工艺制备的高压PMOSFET温度特性研究

采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用1.5μmP阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不同温度下(27°C～200°C)的器件特性,包括漏电流I_(DS)、阈值电压V_T、栅跨导gm的温度特性,并与常压PMOSFET温度特性比较,推导阈值电压值与温度的简单关系。

与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用

采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。