波纹片对臭氧催化氧化反应器的流体力学和气含率分布的影响

干塔压降、湿塔压降、液泛气速是评价臭氧催化氧化反应器性能的重要指标,直接影响反应性能和综合能耗。本文将一种结构导向波纹片放置于散堆填料中,构建了A、B、C型规整填料,研究了波纹片数量对臭氧催化氧化反应器的流体力学和传质性能的影响。使用计算流体力学(CFD)软件的多孔介质模型,计算了臭氧催化氧化反应器中填料的干塔压降及臭氧的气含率分布。结果表明,在散堆填料中放置波纹片后,平均干塔压降降低了30%左右。在相同的气相动能因子(F)下,4种填料的干塔压降从高到低顺序为:散堆填料>A>C>B。在喷淋密度L=26.09 m^(3)·(m^(2)·h)^(-1)时,相比散堆填料,B型填料的湿塔压降平均降低了约14.73%。干塔压降值的计算结果与实验结果有良好的一致性,臭氧的气含率分布更均匀。

大气颗粒物对CS_2催化氧化反应动力学研究

使用 FTIR,XPS,BET,TG-DTG-DTA及原位 XRD等方法研究了二硫化碳 (CS2 )在大气颗粒物表面多相催化反应历程及硫物种的转化过程 .结果表明 ,在常温下 ,CS2 能与大气颗粒物反应 ,主要产物有羰基硫 (COS)和正交 α-S8,少量硫物种被深度氧化 ,在大气颗粒物表面形成正六价态硫 .反应体系中当氧气过量时 ,CS2 在大气颗粒物表面多相催化反应遵循假二级反应动力学规律 .在 2 96K下 ,该反应的表观速率常数为 6.98× 1 0 - 2 2 cm3·mol- 1·s- 1 ,表观活化能为 3 4.6k J/mol,揭示了大气颗粒物具有消除 CS2 的重要作用以及深度氧化使颗粒物表面形成 SO2 -

环己烷催化氧化反应及工艺的研究进展

综述了以环己烷为原料制备环己酮的各种方法,对催化氧化法中应用的各种催化剂进行比较分析,阐述了钴固载化催化剂的特点及应用前景。

预热催化氧化反应器导流系统的数值模拟与优化

针对反应室入口截面的气体速度分布均匀性对预热催化氧化反应器的氧化效率和运行稳定性的影响,利用CFD软件对预热催化氧化反应器反应室入口的导流分配系统进行模拟计算,确定了扩张段的最佳导流分配方案。结果表明:未加导流板时的原模型在反应室入口处,速度呈现出周围低、中间高的趋势,速度梯度比较大,反应室氧化床入口截面的速度分布不均匀性系数为0.8左右;布置了水平导流板之后,反应室纵向速度分布略微改善,反应室入口处截面的速度分布不均匀性系数降低到0.5左右;增加垂直导流板改装成网格状导流板后,反应室入口处整个截面的速度分布均匀性明显提高,不均匀性系数降低到0.2左右。

漆树漆酶的催化氧化作用──Ⅵ．漆酶的催化氧化反应机理研究

在静止条件下，用分光光度法研究了底物２，３－二氰基－５，６－二卤氢醌（ＤＤＸＱＨ２，Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ．Ｉ）的漆酶催化氧化反应，考察了底物离解与反应的关系，考察了半醌自由基的形成和衰减动力学，测定了不同ｐＨ条件下的表现反应速度常数（ｋｏｂｓｄ）、米氏常数（ｋｍ）、半醌自由基的形成速度常数（ｋｆ）和半醌自由基的衰减速度常数（ｋ２ｄ），探讨了环境对半醌自由基形成与衰减的影响，鉴定了反应最终产物的结构．结果证明：１）、底物的一级离解种是底物参与反应的必要形式；２）、半醌自由基阴离子是酶反应的直接产物；３）、半醌自由基的衰减是非酶的歧化反应，４）、由酶反应和非酶反应两部分构成的反应全过程是通过半醌自由基的形成和衰减作纽带联系着的，两个反应部分既独立又偶联，表现为一种特殊的连串反应属性．在此基础上，提出了邻、对苯二酚的漆酶催化氧化反应机理．

微晶蜡非催化氧化反应的神经网络模型

对微晶蜡进行了非催化空气氧化 ,并利用人工神经网络将氧化微晶蜡的酸值、酯值及微晶蜡的氧化条件 (反应温度、空气流量和反应时间 )进行关联 ,建立了微晶蜡非催化氧化的酸值、酯值的神经网络模型 ,并用该模型预测了反应条件对微晶蜡氧化反应过程的影响。结果表明 ,该模型不但具有较高的计算精度 。

异丁醛催化氧化反应过程的模拟和开发

依据异丁醛(IBA)催化氧化反应动力学模型和固定床拟均相二维模型来模拟工业单管反应器。模拟结果不仅和工业单管试验结果一致,而且获得IBA催化氧化反应在反应器内轴向、径向产物浓度和温度分布。并且还模拟了操作变量对参数灵敏性的影响,结果说明参数灵敏性对操作条件要求相当苛刻。提出相应的工程措施,保证反应器稳定操作,为该过程开发和反应器设计提供了依据。

水/有机两相体系中催化氧化反应的研究进展

论述了水 /有机两相体系中催化氧化反应的一些最新进展。由于采用水溶性催化剂 ,使得水 /有机两相体系中的催化反应具有催化剂与产物容易分离的优点。阐述了水溶性催化剂在催化氧化反应中的应用 ,列举了一些典型的水溶性配体、水溶性催化剂以及催化氧化反应实例。参考文献 2 1篇。

Co改性Pd/C催化的葡萄糖催化氧化反应

以活性炭为载体,制备了Pd/C,Pd Co/C催化剂.活性评价结果表明,Pd Co/C催化剂显示出良好的催化性能,反应4h后,葡萄糖的转化率达98.8%,较Pd/C催化剂的活性有显著的提高.BET,XRD表征结果也表明,Co的添加及焙烧过程,使载体由无定形结构转变为晶型结构,且比表面积和微孔容积均有所增加,既提高了Pd的表面分散度,又增大了Pd在催化剂表面的裸露程度,从而使Pd Co/C催化剂表现出良好的催化性能.

K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ对Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的催化氧化反应过程．对于Ｏ２／Ｋ／ＩｎＰ（１００）体系的Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，Ｏ和Ｐ、Ｉｎ之间发生了化学反应，Ｏ更易于与Ｋ在吸附过程中与ＩｎＰ（１００）衬底之间的界面反应形成的Ｋ－Ｐ化合物中的Ｐ健合．碱金属Ｋ的存在并不直接和Ｏ发生作用，而是起到一种催化剂的作用，增加了电荷向氧传输的能力．使得Ｏ２的分解和吸附变得更加容易．在Ｉｎ４ｄ芯能谱中，Ｉｎ－Ｏ之间的反应并不是很明显，而在价带谱中则可以明显地看到Ｉｎ－Ｏ之间反应所形成的Ｉｎ氧化物的发射峰，因此对于研究由于碱金属引起的半导体表面的催化氧化过程，价带谱要比芯能级谱具有更丰富的信息和灵敏度．由于碱金属的存在增强了电荷向Ｏ的传输能力，使得在不大的氧暴露量下就可以形成ＩｎＰ的氧化物薄层，这对于器件技术无疑是很有意义的．

二氧化硫催化氧化反应的绝热温升计算

精确计算了二氧化硫催化氧化的绝热温升系数 ,发现文献所提供的数据偏小 ,该系数主要与初始炉气中的二氧化硫的摩尔百分比含量有关 ,而几乎与所用的原料无关 ,并推荐了精确计算绝热温升系数的公式。

氧同位素交换及其在多相催化氧化反应研究中的应用

简单介绍了氧同位素交换技术及其在多相催化氧化反应机理研究中的应用

CO表面催化氧化反应的扩散模型

在ZGB模型的基础上 ,我们提出一个ZGB扩散模型 .该模型包括了O和CO的扩散 ,消除了二级相变点 .实际上 ,消除二级相变点的关键步骤是引进了O的扩散 .O的扩散几率大约为 0 2 5左右时二级相变点消失 .

WO_(2.90)在烯烃催化氧化反应中的应用

本文研究大表面积的WO_(2.90)对丙烯的热脱附作用,并以丙烯和环己烯作为直链和环状烯烃的典型化合物,初步探讨其催化氧化性质。 (一) 实验部分 1.热脱附谱 系统用不锈钢制成,极限真空度可达4×10^(-10)乇.吸附时丙烯的压强为10^(-6)—10^(-4)乇。吸附一定时间后将真空室中的丙烯抽去,然后对WO_(2.90)样品加热.用四极质谱计监测质荷比41的烯丙基离子的相对含量。

SO_2催化氧化反应的平衡温度与最佳温度探讨

阐述硫酸生产过程中SO2 催化氧化反应的平衡温度与最佳温度的确定 ,应考虑催化剂的内表面利用率和综合校正系数对反应过程的影响 。

CO催化氧化反应动力学行为的富氏变换谱图分析法

实验观察了CO在负载钯催化剂上多相催化氧化反应中的振荡现象。并运用线性富里叶变换谱图法对体系进行动态分析。1 前言近年来,在若干种多相催化氧化反应体系中。

预热催化氧化反应器的变参数模拟计算

对预热催化氧化反应器进行了变运行参数和陶瓷参数的模拟计算,分析其参数变化对甲烷氧化过程的影响规律.结果表明:气流速度增大将会缩短甲烷分子在壁面的驻留时间,导致温升缓慢、降低甲烷转化率;适当提高入口温度和甲烷浓度有利于反应初期吸附基元反应的发生,对壁面催化反应具有促进作用;在其它条件不变的情况下,增大陶瓷床的比表面积可以增加甲烷分子与活性微粒触碰的频率,加快某些关键基元反应的速率.

结构和操作参数对流向变换催化氧化反应器性能的影响

建立了用于小浓度甲烷催化氧化的特定流向变换催化氧化反应器的二维非均相催化燃烧数学模型,采用有限元计算方法分析了结构和操作参数对其内部温度分布和转化率的影响。结果表明,不仅流向切换周期、表观气速等因素对温度分布和转化率影响较大,而且反应器直径的改变对其内部的温度分布亦有较大影响且放大效应明显。

六钨酸四丁基铵盐和异丙醇体系的催化氧化反应的ESR研究Ⅰ.

本文研究了六钨酸四丁基铵盐在紫外光辐照的条件下催化氧化异丙醇为丙酮的反应。采用自旋捕捉技术与电子自旋共振相结合的方法,在位检测到氧化反应过程中有活泼自由基中间体产生,并观察到光电流产生。文中对六钨酸四丁基铵盐的催化反应机理进行了讨论。

用CA模型研究SO_2在锰盐表面上的催化氧化反应

本文用CA模型借助部分模拟法求得SO_2在锰盐表面上催化氧化反应的动力学相图;若反应按Langmuir-Hinshelwood机制进行,且H_2O以气态出现,则模拟结果表明,相图中有四个双组分中毒相和一个反应相,反应相在一个线性的浓度区域上出现;如在催化反应过程中;尚需考虑反应物种的脱附,则反应相将随脱附几率的增加而扩大.