-
题名分辨力增强技术在65nm浸没式ArF光刻中的应用
被引量:3
- 1
-
-
作者
李艳秋
黄国胜
-
机构
中国科学院电工研究所
-
出处
《电子工业专用设备》
2004年第11期9-13,22,共6页
-
文摘
首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大。而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小。因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移。
-
关键词
浸没式ARF光刻
下一代光刻
像差和图形偏移
工艺窗口
光刻仿真
-
Keywords
Immersion ArF Lithography
NGL
aberration and pattern displacement
Processing window
lithography simulation
-
分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
-