有限放大倍数下磁透镜的球差和色差系数

磁透镜的球差和色差系数可表为放大倍数的多项式。本文通过计算给出了多项式的系数，并拟合出精度较高的表达式，可以方便地计算出有限放大倍数下的球差和色差系数。

用H-S波前传感器测量穿过超声速流场的激光像差特性

用Hartmann-Shack(H-S)波前传感器可以准确测量穿过超声速流场的激光波面及其变化过程,进一步计算可以获得光束质心漂移、远场分布等数据。给出了H-S方法测量穿过超声速流场激光波面的原理,采用模式法进行了波前重构,计算了在几种流场条件下的激光波面像差特性PV值,RMS值和Zernike像差系数、Strehl比和环围能量曲线等。结果表明,H-S法可以很好地反映流场建立、稳定和结束过程中Zernike像差的变化。比较无流场和给定参数的超声速流场,激光穿越后产生的最明显的像差变化为离焦和低阶像散的增大。在相同流场参数下,无模型时光束质量好于有模型时光束质量。

穿越流场激光像差特性的动态测量——H-S波前传感器方法

用H-S(Hartmann-Shack)波前传感器可以精确测量穿过超声速流场的激光动态波面及其变化过程,进一步计算还可以获得光束质心漂移、远场分布等数据。讨论了利用H-S波前传感器测量穿过超声速流场激光波面的原理,并采用模式法进行波前重构,得到了在几种流场条件下的激光波面像差特性如PV和RMS、各阶Zernike像差系数,环围能量分布和Strehl比等。结果表明,采用H-S传感器进行测量、并用模式法进行波前重构可以较好反映流场建立、稳定和结束过程中各阶Zernike像差的变化。比较无流场和给定参数的超声速流场,激光穿越后产生的最明显变化为离焦A3和低阶像散A5的增大。

逐级优化制定离轴三反射光学系统加工装调公差

逐级优化法是根据离轴三反射光学系统结构参数的像差灵敏度系数大小来确定主镜、次镜和第三反射镜的加工次序的。其方法是逐级优化确定各光学零件的加工公差,加工完成后测量光学元件结构参数,代入光学设计软件进行优化,进而确定光学系统的装调公差。采用该方法制定三反射系统的加工装调公差时将加工和设计过程有机的结合起来,在满足设计要求的前提下使系统的加工和装调公差得到最大程度地放松。

基于Zernike多项式的人眼波前像差拟合算法

采用改进的Gram-Schmidt正交化法对矛盾方程的广义增广矩阵进行正交三角化,导出求解基于Zernike多项式的人眼波前像差拟合系数的算法。通过拟合给定模式系数和一般数学波面两种方式对算法进行了验证。验证结果表明,该算法与直接构造法方程组解法的计算精度相当。避免了因构造法方程组而引入的计算误差,易于编程,是一种比较理想的求解Zernike多项式拟合系数的算法。

象差理论与计算

O435.2 96063532电磁复合场三级几何像差方程的修正与像差系数=Correction of third-order geometricalaberration equation in combined fields andaberration coefficients[刊,中]/杨立才,张玉林,陈振生(山东工业大学自动化系,山东,济南(250061))//微细加工技术.-1996,(1).-7-16 基于作者提出的"函数逼近的数值迭代概念",修正了电磁复合场中电子成像系统的三级几何像差方程式,给出了具有更高精度的像差计算公式和用集中参数形式描述的像差系数表达式,为像差的数值计算和电子光学系统的计算机优化设计提供了实用的理论依据。表1参7(郑锦玉)

双透镜无光焦度校正板和单一反射镜的研究(英文)

对双透镜无光焦度校正板和单一反射镜组成的光学系统进行了研究 ,利用三级像差理论分析了消像差条件 ,并得出了一组被证明是正确的公式 根据该公式可以求出光学系统的初始结构参量 对于在球面镜反射系统中 ,基于像差特性分析 。

腔内倾斜扰动对正支共焦腔本征模式的影响

针对激光器出光过程中腔内像差扰动带来的光束质量下降问题,分析了正支共焦腔腔内不同位置倾斜扰动对本征模式的影响,采用数值迭代法计算了理想状态及腔内不同位置倾斜扰动状态下的本征模式、相位Zernike像差拟合系数·结果表明:对大小给定的扰动,相位相对敏感性从凸面镜到凹面镜逐渐增加,且腔模倾斜像差增大的同时还将导致离焦、像散等高阶像差的增大,因此作腔内补偿时,应使补偿平面尽可能靠近凹面镜·

改善场发射扫描电镜分辨本领的原理和展望

本文讨论了改善场发射扫描电镜分辨本领的原理。分析结果表明 ,仪器的分辨本领主要依赖于物镜的球像差系数 Cs。如果等效球像差系数能降低到 0 .1× 10 -2 cm的水平 ,则二次电子像的分辨本领为 0 .3 2 2 nm(当扫描电子束的加速电压 VA=3 0 k V)。此外 ,在 Cs=0和扫描电子束的半开角 α=5× 10 -2 rad,本文估计场发射扫描电镜的极限分辨本领可望达到 0 .178nm(当 VA=3 0 k V)。

光学工艺 微细加工技术与设备

TN305．7 2005064472 超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究=Process study of high-aspect-ratio ultrathick SU-8 microstrUCt ure[刊, 中]/张金娅(上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜 与微细技术教育部重点实验室．上海(200030)),陈迪…∥ 功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-251-254 采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备 了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两 个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开 裂和倒塌等问题,优化了SU-8胶工艺,获得了最大深宽比 为27:1的微结构。图6表1参7(于晓光)

光电子技术与器件 光电成像与器件

TH703 2005064334 距离选通成像系统分辨力模拟测试装置的设计=Design of the resolution simulation measurement setup for range- gated imaging system[刊,中]/李丽(北京理工大学信息科 学技术学院光电工程系．北京(100081)),高稚允…∥光学 技术．-2005,31(4)．-545-547。