散热器不同表面处理方式的辐射散热效能分析

散热器的表面处理方式对其辐射散热效能有着显著影响,本文通过实验测试,研究分析了铝合金散热器通过氧化、喷漆、喷塑等七种不同的表面处理方式后,其辐射散热性能的变化,得出了在当前测试条件下散热器散热性能最优的表面处理方式。当前电子设备日益复杂,而且不断向微小型化发展,以适应空间尺寸等特殊需求,导致元器件数量增加,而设备尺寸不断缩小,元器件密度提高,热量集中,电子设备的主要失效形式是热失效,随着温度的增加,其失效率呈指数增长趋势。据研究,电子设备的失效有55%是温度超过规定的值引起的。故此,电子设备的热设计日趋重要。

物超所值的奢华 惠威科技M3A无线书架箱

从前大家为电脑生活越来越好,衍生的娱乐产品也会越来越丰富。这些年全民精神娱乐需求在提升,许多人对电影和音乐都有了更进一步的追求。在音响领域里,一对好的音箱能获得更好的音质,幸福感倍增。于是,高品质的Hi-Fi书架音箱就越来越受人们的喜爱。

新一代继电器驱动器简化了用电需求减少功能

智能电网通过识别电能高峰使用时间和减少用电需求,为改进负载管理创造机会。调节不同使用时间的用电费率后,用户的成本在高需求时段更高。因此,用户希望在此类高需求时段减少电器功耗。以电冰箱制冷为例,如果电冰箱工作温度比低需求时段所需的温度低几度,则在高需求时段,

日本电视机称誉世界的奥秘

电视机已成为现代家庭的生活必需品,据不完全统计,全世界电视机拥有量已超过8.5亿台,其中日本的电视机占有较大比重,年产量在2500万台左右,其中70％以上是彩电,大部分用于出口,成为世界上电视机的最大生产国和最大输出国、国内的电视机普及率已达99％,也是世界上电视机普及率最高的国家之一。80年代初期,在我国市场上,日本生产的各种牌号的电视机到处可见。正由于日本电视机的故障率低、稳定可靠、使用寿命长,在国际上赢得了很高的声誉,所以受到各国用户的欢迎,究其原因是,日本各电视机制造厂在保证电视机质量方面采取了以下行之有效的措施。

850nm红外发射器

VSMY98545使用42mil×42mil发射器芯片,结到管脚的热阻为10k/W,驱动电流高达1A,脉冲电流可达5A。发射器集成的镜片支持±45°的半强角,在1A和5A（脉冲）电流下可实现350mW/sr和1600mW/sr的超高发光强度,超过无镜片器件的发光强度两倍以上。

ROHM确立追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM”

元器件数量更少,运行更稳定,有助于减少电源电路的设计工时全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新电源技术“QuiCurTM”,可改善包括DC/DC转换器IC在内的各种电源IC的负载响应特性*1(以下称为“响应性能”,指后级电路工作时的响应速度和电压稳定性)。近年来,在各种应用领域,数字化进程都在加速,随着所安装的电子元器件数量的增加,应用产品的设计工时也增加了。

ROHM确立追求电源IC响应性能的创新电源技术“QuiCurTM”

元器件数量更少,运行更稳定,有助于减少电源电路的设计工时全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一种新电源技术“QuiCurTM”,可改善包括DC/DC转换器IC在内的各种电源IC的负载响应特性*1(以下称为“响应性能”,指后级电路工作时的响应速度和电压稳定性)。近年来,在各种应用领域,数字化进程都在加速,随着所安装的电子元器件数量的增加,应用产品的设计工时也增加了。

NEC公司开发出宽带CMOS开关IC

日本NEC公司开发出一种型号为UPD5710TK的新型CMOS单刀双掷(SPDT)开关。这种CMOS开关设计用于发射与接收、分集式天线、波段选择和其它普通RF开关用途。该开关成本低,可以代替GaAs IC开关,所用的元器件数量少,而且代替了p-i-n二极管。上述型号的CMOS开关需要一条电压控制线路,而且在各条RF线路上不需要隔直流电容,其带宽下至dc。

Vishay推出新款30V MOSFET半桥功率级模块输出电流提高11%

Vishay推出新款30Vn沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT,将高边TrenchFET和低边SkyFET MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR 3.3mm×3.3mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。通道1 MOSFET在10V和4.5V条件下,最大导通电阻分别为4.5mΩ和7.0mΩ。通道2MOSFET在10V和4.5V条件下,导通电阻分别为1.84mΩ和2.57mΩ。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC。