分子电镀法制备希土元素靶

近年来,核物理工作者对希土元素的研究越来越多。由于镧系元素属于活泼金属,有的元素熔点高,希土同位素都以氧化物形式提供,所以希土靶特别是希土同位素靶的制备是比较困难的。虽然真空蒸发、滚轧、重离子溅射、电喷涂和离心沉淀法等技术都能用来制备希土靶,但这些方法各自有一定的缺点,每种方法只能满足某些实验的要求。

离子射程标度关系在多元素靶上的推广研究

作者首先将基于离子输运双群模型中，对轻离子在单元素靶上得到的离子Ｂｏｌｔｚｍａｎ方程与标度输运截面这个单一参量之间的关系，推广到重离子以及多元素靶的情形；再应用射程参数的标度关系对Ｂｉ和Ａｕ垂直入射到ＳｉＯ２靶上的情况，计算了相应的射程以及射程歧离，并与有关的实验数据进行了比较，以进一步检验这个标度关系．

分子镀制备三种镧系元素靶

采用分子镀方法研究了异丙醇-硝酸体系中两极间距离、电流密度、加入HNO3的量和分子镀持续时间对镀层性能和电沉积效率的影响,确定了制备Tb,Dy和Ho靶的最佳工艺条件。同时也探索了在异丁醇-硝酸体系中,分子镀持续时间和电流密度对Tb靶电沉积效率的影响。因Tb,Dy和Ho三种元素化学性质相近,故采用了相同的工艺条件:两极间最优距离为15 mm,电流密度为5.7 m A/cm2,加入0.1mol/L HNO3 400μL,分子镀时间为1 h。用分光光度法测得各靶的沉积效率均高于85%;利用扫描电子显微镜(SEM)对部分靶的表面形貌分析后发现靶面结构均匀致密;利用能谱仪(EDS)对靶子进行了定性和半定量分析;利用红外光谱法对靶膜化学成分进行了分析,发现靶膜成分结构复杂,不是由一种化合物组成。目前制得的Tb靶和Ho靶已用于中国科学院近代物理研究所加速器SFC低能核化学终端上,利用19F束流轰击,分别产生了W和Os的短寿命同位素,从而成功完成了Sg(Z=106)和Hs(Z=108)的模型试验。

3.3-27.8 KeVX射线能区Cu的光电截面测量

用质子激发单元素靶或化合物靶产生的特性X射线作为光源,用Si(Li)谱仪测量X射线谱,用穿透法测量Cu的质量衰减系数或总的衰减截面。上述光源的特点是:(1)信噪比好,比放射性同位素X光源或光机—二次靶组合光源的信噪比好1—2量级。(2)不象放射性同位素光源那样受限制,只要选择合适的元素作靶,就可得到一系列能量合适的X光源供实验使用。

离子束溅射淀积速率的计算

一、引言离子束溅射技术已广泛应用于表面刻蚀和制备薄膜。由于离子束电流强度和加速电压能够独立地调节,并且衬底与离子源之间有较大的距离,因而离子能量、电流密度、衬底温度和离子束入射角都能分别控制。离子束溅射还能在比通常的射频。

强激光部分离化等离子体受激喇曼散射

在强激光重元素靶等离子体中，电子是不能完全剥离的，带有未离化束缚电子的原子的形状受强激光或超强激光与它的相互作用要发生变化，从而产生极化电流，势必影响强激光等离子体相互作用，随着激光聚变发展的要求，精密物理的需要，研究束缚电子对受激喇曼散射的影响很有必要。

超镄元素命名之争

当今的化学元素周期表上共有109个元素。100号元素为镄(Fm),101～109号元素统称为超镄元素,这些元素都是利用加速器加速的重离子束轰击重元素靶而产生的人造放射性元素。 这些超镄元素自被发现之日至今,最长的近40年(101号元素,1955年发现),最短的也有10年之久(108号元素,1984年发现)。除101～103号元素已于1970年被国际纯化学与应用化学联合会(IUPAC)正式命名为钔(Md)、锘(No)和铹(Lr)之外,104～109号元素至今尚未被正式命名。