先进光刻技术:导向自组装

导向自组装(Directed Self-Assembly,DSA)光刻技术是一种极具发展潜力的新型图形化工艺,已被国际器件与系统路线图(International Roadmap for Devices and Systems,IRDS)列为下一代光刻技术的主要候选方案。DSA光刻技术是基于嵌段共聚物(Block Copolymer,BCP)自组装构建高分辨图案,能够突破传统光学光刻的衍射极限,具有高通量、低成本和延续性好等显著优势,已成为半导体工艺技术中的研发热点。将DSA与其它光刻技术如极紫外(Extreme Ultraviolet,EUV)光刻、深紫外(Deep Ultraviolet,DUV)光刻、紫外光刻和纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography,NIL)等相结合,能极大地提高加工结构的分辨率以及器件的密度。目前,DSA光刻技术已被应用于鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)、存储器和光电子器件等领域,以期实现高密度集成和高效率低成本制造。本文对DSA光刻技术的原理、材料、工艺、应用以及在工业化进程中所面临的机遇和挑战进行全面的综述。

先进光刻材料

随着半导体产业的技术发展与进步,芯片制造在摩尔定律的推动下也在不断向先进工艺节点推进。与此同时,我们迫切需要开发与之相匹配的光刻材料来满足光刻图形化的快速发展需求。本文从光刻材料的成分和性能出发,介绍了光刻图形化技术所用的从紫外光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光胶、共轭聚合物光刻材料到导向自组装光刻材料,分析了光刻材料的发展现状,最后总结全文并对国内光刻材料的未来发展趋势进行展望。