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光产酸源的新进展
被引量:
1
1
作者
余尚先
顾江楠
《感光材料》
北大核心
1991年第2期8-14,共7页
本人已对UV产酸物质、UV产酸过程及UV固化作过综述。在UV产酸固化过程中,光产酸物质(光产酸源)事实上是作为一种酸引发剂,去引发一些物质发生开环聚合、加成聚合或交联反应的。它是一个由小分子变为大分子或由线型高分子变为体型硕大分...
本人已对UV产酸物质、UV产酸过程及UV固化作过综述。在UV产酸固化过程中,光产酸物质(光产酸源)事实上是作为一种酸引发剂,去引发一些物质发生开环聚合、加成聚合或交联反应的。它是一个由小分子变为大分子或由线型高分子变为体型硕大分子的过程。
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关键词
光产酸源
酸
引发剂
泺分解
聚合物
下载PDF
职称材料
DUV光致抗蚀剂的研究进展Ⅱ——光产酸源、阻溶剂等添加剂部分
被引量:
1
2
作者
杨凌露
张改莲
余尚先
《信息记录材料》
2003年第2期23-26,共4页
关键词
DUV
光
致抗蚀剂
研究进展
光产酸源
阻溶剂
添加剂
下载PDF
职称材料
化学增幅抗蚀剂用光产酸源
被引量:
12
3
作者
杨凌露
张改莲
余尚先
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第7期474-478,共5页
对化学增幅抗蚀剂体系的组成及化学增幅作用做了阐述。介绍了化学增幅作用中的关键组分———光产酸源和酸增殖剂的发展概况 ,并对重氮盐、盐、有机多卤化物、磺酸酯类化合物等产酸源的产酸机理、适用光源分别进行了阐述。从目前国际...
对化学增幅抗蚀剂体系的组成及化学增幅作用做了阐述。介绍了化学增幅作用中的关键组分———光产酸源和酸增殖剂的发展概况 ,并对重氮盐、盐、有机多卤化物、磺酸酯类化合物等产酸源的产酸机理、适用光源分别进行了阐述。从目前国际发展的趋势来看 ,硫盐和磺酸酯类的光产酸源占据主要地位 ,有机多卤化物中的三嗪化合物还有少量应用。
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关键词
化学增幅
抗蚀剂
光产酸源
光
化学反应
酸
增殖剂
集成电路
原文传递
ArF激光光致抗蚀剂的研究进展
被引量:
2
4
作者
余尚先
杨凌露
张改莲
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期61-71,共11页
本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀...
本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀剂高分辨率的要求.但若想将193nm成像技术在实践中推广应用,还有诸多问题需待研究解决.
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关键词
ArF激
光
光
致抗蚀剂
化学增幅
矩阵树脂
光产酸源
集成电路
光
刻蚀
氟化氪
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职称材料
题名
光产酸源的新进展
被引量:
1
1
作者
余尚先
顾江楠
机构
北京师范大学应用化学研究所
出处
《感光材料》
北大核心
1991年第2期8-14,共7页
文摘
本人已对UV产酸物质、UV产酸过程及UV固化作过综述。在UV产酸固化过程中,光产酸物质(光产酸源)事实上是作为一种酸引发剂,去引发一些物质发生开环聚合、加成聚合或交联反应的。它是一个由小分子变为大分子或由线型高分子变为体型硕大分子的过程。
关键词
光产酸源
酸
引发剂
泺分解
聚合物
分类号
O631.3 [理学—高分子化学]
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职称材料
题名
DUV光致抗蚀剂的研究进展Ⅱ——光产酸源、阻溶剂等添加剂部分
被引量:
1
2
作者
杨凌露
张改莲
余尚先
机构
北京师范大学化学系
出处
《信息记录材料》
2003年第2期23-26,共4页
关键词
DUV
光
致抗蚀剂
研究进展
光产酸源
阻溶剂
添加剂
分类号
TG174.42 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
化学增幅抗蚀剂用光产酸源
被引量:
12
3
作者
杨凌露
张改莲
余尚先
机构
北京师范大学化学系
出处
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第7期474-478,共5页
基金
国家‘8 6 3’计划资助项目 ( 2 0 0 1AA32 710 2 )
文摘
对化学增幅抗蚀剂体系的组成及化学增幅作用做了阐述。介绍了化学增幅作用中的关键组分———光产酸源和酸增殖剂的发展概况 ,并对重氮盐、盐、有机多卤化物、磺酸酯类化合物等产酸源的产酸机理、适用光源分别进行了阐述。从目前国际发展的趋势来看 ,硫盐和磺酸酯类的光产酸源占据主要地位 ,有机多卤化物中的三嗪化合物还有少量应用。
关键词
化学增幅
抗蚀剂
光产酸源
光
化学反应
酸
增殖剂
集成电路
Keywords
Chemical amplification, Resist, Photoacid generator, Acid amplifer
分类号
O644 [理学—物理化学]
原文传递
题名
ArF激光光致抗蚀剂的研究进展
被引量:
2
4
作者
余尚先
杨凌露
张改莲
机构
北京师范大学化学系
出处
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期61-71,共11页
基金
2002-2005国家重点863项目
文摘
本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀剂高分辨率的要求.但若想将193nm成像技术在实践中推广应用,还有诸多问题需待研究解决.
关键词
ArF激
光
光
致抗蚀剂
化学增幅
矩阵树脂
光产酸源
集成电路
光
刻蚀
氟化氪
Keywords
ArF excimer laser
photoresist
chemically amplification
matrix polymer
photoacid generator
分类号
TQ577.35 [化学工程—精细化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光产酸源的新进展
余尚先
顾江楠
《感光材料》
北大核心
1991
1
下载PDF
职称材料
2
DUV光致抗蚀剂的研究进展Ⅱ——光产酸源、阻溶剂等添加剂部分
杨凌露
张改莲
余尚先
《信息记录材料》
2003
1
下载PDF
职称材料
3
化学增幅抗蚀剂用光产酸源
杨凌露
张改莲
余尚先
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
12
原文传递
4
ArF激光光致抗蚀剂的研究进展
余尚先
杨凌露
张改莲
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
下载PDF
职称材料
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