电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度

从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。

消光起伏法中的颗粒交叠效应

消光起伏法是一种新的颗粒测量方法,可用来同时测量两相流中颗粒的粒径分布和体积浓度.由于在测量原理和结构上非常简单,这种方法可以用来实现在线、实时测量.本文讨论窄光束中颗粒系统在时间域内的消光起伏光谱,在几何光学近似下通过统计方法得到颗粒交叠的百分率与单层颗粒面密度β和颗粒系统层数NML之间的关系.在理论上得到了多层颗粒系统的消光起伏光谱与单层消光起伏光谱之间的关系,定性证明了颗粒交叠效应的存在.并通过数值模拟计算初步得到了消光起伏光谱的频率响应与消光值之间的关系.

（GaAs／AlAs）_n短周期超晶格类型及其转变的光伏研究

首次用光伏方法研究了（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格中的超晶格类型及其转变问题．不同于其它方法，光伏方法仅涉及到载流子在实空间中的分离及其大小．这种空间分离在Ⅰ类超晶格中为零，而在Ⅱ类超晶格中不为零．（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格在ｎ＝１０和１１时被指认为Ⅱ类超晶格，在ｎ＝１５时被指认为Ⅰ类超晶格．与其它大部分实验结果一致．

时间域内的消光起伏光谱法

利用层模型得到消光起伏光谱及其数学表达式,光谱转折点的位置给出了颗粒的粒径信息,而光谱的深度则与颗粒系统的浓度有关.所得结果考虑了颗粒浓度对消光起伏光谱的影响.

InP单晶表面势垒高度与表面态密度的光伏测算

应用变温光伏方法测定了Ｎ型低阻ＩｎＰ单晶的表面势垒高度，进而分析、计算了简并化的ＩｎＰ单晶表面态密度。