多量子阱红外级联光伏探测器

1概述 红外辐射是介于可见光与微波之间(0.75μm～1000μm)的电磁波,是一种不可见的辐射.由于可通过大气窗口1μm～3μm、3μm～5μm、8μm～14μm三个波段内的红外辐射在大气中传播时吸收和散射较少,可以到达较远的距离,相对于可见光,能提供特殊的重要信息,如位置、温度、几何尺寸、表面、距离和组份等,受到人们的广泛关注[1].

光伏型InSb红外探测器瞬态特性界面陷阱效应

界面陷阱会显著影响探测器的瞬态特性,为揭示其内在机理,并为探测器设计提供借鉴,基于二维仿真开展了背照式光伏型InSb红外探测器瞬态特性的界面陷阱效应研究,分析了界面陷阱与空穴浓度、复合率、电场等关键物理参数的相关性.研究表明,随着界面陷阱密度的增加,界面附近的复合率和电场会随之增加,空穴浓度会减小,而在电流密度分布中出现了"黑洞",且该"黑洞"位置逐渐向pn结移动.此外,随着界面陷阱密度的增加,瞬态光响应会逐渐减小.

C－dBASEⅢ在红外探测器研制和生产中的应用

本文叙述了使用Ｃ－ｄＢＡＳＥⅢ软件在Ｈｅｒｃｕｌｅｓ微机上，编制用于ＩｎＳｂ光伏型红外探测器研制和生产的工艺数据库，以及具有查询、打印、维护等功能的文件管理程序。运用表明，实施计算机管理可大大提高工作效率。

用于红外探测的HgCdTe光电二极管:述评(上)

1959年,英国皇家雷达科学研究院发表了第一份关于将半金属HgTe和宽带隙半导体CdTe合成为半导体合金HgCdTe的报告.这篇富有创造力的论文报告了HgCdTe在12μm以下波长上的光导和光伏响应,并保守地认为,这种材料有希望成为本征红外探测器的制作材料.

非对称异质结型量子阱光伏探测器

报道了中心波长为9.0和8.8 (m的两个GaAs/AlGaAs多量子阱光伏红外探测器, 其特点是在GaAs/AlGaAs量子阱结构中引入薄的AlAs非对称高势垒层. 这种结构不仅具有光伏效应, 并且显示高的探测率和宽的响应谱. 在77 K和零偏压条件下, 其峰值探测率分别为6.7×109和7.6× 109 cm·Hz1/2/W, 响应带宽 △λ 分别是2.7和3.2 μm.

高载流子迁移率胶体量子点红外探测器

采用混相配体交换的方法成功实现了载流子迁移率近2个量级的提升,达到1 cm^(2)/(V·s),同时还可以灵活调控N型、本征型和P型等掺杂类型。在此基础上,使用本征型碲化汞胶体量子点薄膜制备短波及中波红外光伏型探测器。截止波长为1.9μm的短波红外探测器在300 K下的响应率为0.9 A/W,比探测率为4×10^(11)Jones;截止波长为4.2μm的中波红外探测器在110 K下的响应率为1.1 A/W,比探测率为1.2×10^(11)Jones。在没有施加偏置电压的情况下,300 K下的短波红外光电探测器的外量子效率可以达到61%,110 K下的中波红外光电探测器的外量子效率可以达到30%。

吸收层特性和异质结界面电荷对12.5μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究

研究了12.5μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度增加单调增加,并逐渐饱和.响应率峰值对应的波长随吸收层厚度增加,有向长波偏移的趋势.最佳吸收层厚度值随少子寿命或入射光波长的增大而增大.同时,研究了衬底、钝化层与HgCdTe材料之间异质界面电荷对光响应率的影响,发现正的界面电荷在衬底异质结界面处形成诱导pn结,对响应率影响显著.采用金属-氧化物-半导体二极管模型,分析了其中的内在物理机理,并获得了降低其影响的优化方案.