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非晶硅光位敏探测器的开发
1
作者
杜开瑛
杨熹
+3 位作者
伍红跃
冯良桓
周心明
邱上源
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1993年第2期189-193,共5页
以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65%,而最大有效光敏面积约为2cm^2.
关键词
非晶硅
探测器
光位敏度
下载PDF
职称材料
题名
非晶硅光位敏探测器的开发
1
作者
杜开瑛
杨熹
伍红跃
冯良桓
周心明
邱上源
机构
四川大学物理系
四川大学材料科学系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1993年第2期189-193,共5页
文摘
以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65%,而最大有效光敏面积约为2cm^2.
关键词
非晶硅
探测器
光位敏度
Keywords
amorphous silicon, detector, photopositional sensitivity.
分类号
TN382 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
非晶硅光位敏探测器的开发
杜开瑛
杨熹
伍红跃
冯良桓
周心明
邱上源
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1993
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