通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,对光催化水解半导体Ag2Zn Sn S4的改性方案做了理论研究.在与同类化合物的带边位置比较后发现,Cu与Ge共掺杂能够在Ag2Zn Sn S4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节,从而使其能带结构优化到光催化...通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,对光催化水解半导体Ag2Zn Sn S4的改性方案做了理论研究.在与同类化合物的带边位置比较后发现,Cu与Ge共掺杂能够在Ag2Zn Sn S4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节,从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态.另外,Cu Ga Se2可与Ag2Zn Sn S4形成type-II型带阶结构,制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能.展开更多
文摘通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,对光催化水解半导体Ag2Zn Sn S4的改性方案做了理论研究.在与同类化合物的带边位置比较后发现,Cu与Ge共掺杂能够在Ag2Zn Sn S4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节,从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态.另外,Cu Ga Se2可与Ag2Zn Sn S4形成type-II型带阶结构,制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能.