基于晶圆键合工艺的光刻掩膜版排版方法

晶圆-晶圆键合技术突破了传统晶圆平面工艺,但键合晶圆的光刻对准图形及其他辅助图形有特殊的位置摆放和形貌绘制要求,而传统方法进行光刻掩膜版排版费时费力且极易出错。针对该技术挑战,提出一种与传统排版方式不同的整体翻转式排版方法:在面对面晶圆-晶圆(两片)产品排版中,通过“替换-翻转”过程,可以快速有效地一次性解决辅助图形单元形貌和位置的对应翻转,大幅度减少键合产品排版的工作量,降低错误率,有效地缩短产品导入时间周期。

IMEC宣布在栅堆叠和多栅极场效应管器件方面的技术突破

在今年的日本京都2005年6月14日VLSI技术研讨会上，IMEC与其在CMOS工艺上的主要合作伙伴们一起宣布几项在栅堆叠（Gate-stack）和多栅极场效应管（MuGFETs）器件方面的技术突破。多栅极场效应管和栅堆叠技术的结合连同在掩膜版光刻技术的进步也创造了一个新纪录，使一个包含六个完全可工作的晶体管的SRAM单元的面积仅有0．247平方微米。