特定分布硅片曝光场的复合S型轨迹规划算法研究

为减小光刻机硅片台在步进扫描运动中的冲击和振荡,研究了一种S型轨迹规划算法。采用S型轨迹规划方法中的复合法,引入可调节的权重系数,兼顾时间和冲击两个因素,分别对步进运动、扫描运动加速段和扫描运动减速段进行研究。在对步进运动和扫描运动进行仿真分析的基础上,针对一种特定分布的曝光场进行“步进+扫描”综合仿真。仿真结果表明,相较于传统3阶轨迹规划,所研究的S型轨迹规划的加速度曲线更加平滑,不易激励柔性环节产生残余振动,可有效地减小冲击和振荡,保证光刻机硅片台在扫描曝光过程中的稳定性。