高集成度复杂光刻版版图的快速巡查与修正技术

介绍了一种高集成度复杂光刻版版图的快速巡查与自动修正技术。其主要包括线条修复模块、逻辑处理模块和图形巡查模块。通过对L-edit软件嵌入式程序开发,实现版图中关键图形和易错位置的快速巡查与自动修正处理,大幅提高了先进掩模制造加工技术中高集成度复杂光刻版版图的核查准确度与处理效率。

基于有限状态机模型的光刻版图自动布局系统

采用有限状态机模型设计了集成电路光刻版上各个图形布局的自动系统。将布局的各个阶段定义为不同的状态,布局规则定义为触发条件,组成一个有限状态机。基于此模型的计算机自动布局系统能自动完成图形在光刻版上的布局,充分利用硅圆片面积并给出布局报告。

光刻版数据处理中的工艺涨缩问题

介绍了集成电路行业中在光刻版数据处理时的工艺涨缩问题,分别讨论了正涨缩和负涨缩问题,涨缩与反转处理的次序问题,尤其对位于版图边沿图形的涨缩进行了详细的讨论,并且提出了一种电子设计自动化软件的解决方案和实际结果。

光刻版图形处理过程的计算机仿真

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理。将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换。该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件。

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺及相关设备的种类及组成,最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。

全自动光刻版清洗机工艺原理与工作过程介绍

介绍了常用的光刻版清洗工艺,并详细讲解了全自动光刻版清洗机的工作过程。同时,简单介绍了为提高光刻版清洗效果而设计的浸泡系统、药液供给与循环系统和温控系统。

设计模式在光刻版清洗系统软件设计中的应用

设计模式代表了成功的可复用的优秀设计经验,在系统设计中引入设计模式将有效地提高系统的可扩展性和可维护性。在光刻版清洗系统软件设计中引入了设计模式,介绍了设计模式的概念及使用,描述了单件模式,策略模式和适配器模式在光刻版清洗系统软件设计中的应用。经实践检验,设计模式的应用,增强了设计的灵活性,提高了软件的可扩展性和复用性。该方法具有较高的理论和实践意义。

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺,并介绍了相关工艺设备的种类及组成,最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。

基于时序分析的光刻版清洗机运行效率提升方法

光刻版清洗机是典型的多轴运行类自动化清洗设备,清洗效率的提升是此设备的关键技术之一。介绍了一种基于时序分析的提升该设备运行效率的方法,实验证明此方法通过对控制时序的分析和优化,有效提升了设备的运行效率。

全自动光刻版清洗机介绍

介绍了中国电子科技集团公司第四十五研究所研制的全自动光刻版清洗机的工艺原理和工作过程。该设备自用户投入使用以来,大量的产品证明,采用全自动光刻版清洗机对光刻版进行清洗,光刻版洁净度高,工艺效果理想,工艺参数稳定,自动化程度高,批量处理能力强,可以广泛用于工业生产中。

新型KP50A螺栓型晶闸管氧化光刻版设计

设计了一种用于AA50A螺栓型晶闸管制造过程中的新型光刻版图。通过分析计算得到各有关结构参数及特性参数。经比较证明，本设计结构新颖，操作方便，对提高材料利用率及产品成品率，对降低工人劳动强度和提高工作效率，具有重大意义。

普通玻璃光刻版对产品成品率影响的研究

介绍了半导体工艺中光刻版的重要作用,特别针对在实际工艺中使用普通玻璃材质光刻版对产品造成的成品率波动问题。通过对大量实验中失效现象的分析总结,找出波动产生的原因,并且根据实际采集数据进一步验证。最后得出结论:由于使用普通玻璃光刻版,使该产品的对位一直处于临界状态;当在单台设备上作业时,由于不存在设备之间的匹配问题,因而没有发生大规模的良率波动问题;但是,当使用多台设备交叉作业时,就不可避免地发生了良率的波动。

63.5mmX127mm英寸UT 1X光刻版的设计及制造

提出一种新的UT1X光刻版规格63.5mm×127mm,与原来的76.2mm×127mm的UT1X光刻版适用于同一种UltraTech步进光刻机。相应的光刻版数据处理以及夹具进行了调整。新规格的光刻版将127mm×127mm的基材的产出提高了一倍,加快了光刻版的生产速度,同时减少了废弃物的产生,有利于降低成本和环境保护。

高集成度多标记光刻版版图的快速处理技术

介绍了一种高集成度多标记光刻版版图的快速处理技术。其中包括以下四个模块:chip芯片排布模块、标记排布模块、芯粒数统计模块和自动版号模块。在版图编辑工具L-edit中使用这些模块可以大幅提升微光刻中的高集成度多标记光刻版版图的排布效率并提高准确度,从而有效缩短掩膜版的生产周期。

光刻版清洗机中浸泡腔工位设计分析

通过分析光刻版清洗机的结构特性,浸泡腔主要作为IC工艺后制程(BEOL)金属膜腐蚀剥离工艺和去胶工艺,对其中的浸泡工位设计进行了分析,提出了浸泡腔工位设计要点,并介绍了浸泡腔工作流程。

PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。

基于晶圆键合工艺的光刻掩膜版排版方法

晶圆-晶圆键合技术突破了传统晶圆平面工艺,但键合晶圆的光刻对准图形及其他辅助图形有特殊的位置摆放和形貌绘制要求,而传统方法进行光刻掩膜版排版费时费力且极易出错。针对该技术挑战,提出一种与传统排版方式不同的整体翻转式排版方法:在面对面晶圆-晶圆(两片)产品排版中,通过“替换-翻转”过程,可以快速有效地一次性解决辅助图形单元形貌和位置的对应翻转,大幅度减少键合产品排版的工作量,降低错误率,有效地缩短产品导入时间周期。

大面积液晶面板光刻机新型工作台设计

论述曝光面积可达３３５．６ｍｍ×３５５．６ｍｍ（４″×１４″），套刻精度为±２μｍ，接近式（０～２５μｍ）液晶面版光刻机的新型工作台设计。

多项目晶圆(MPW)加工介绍

高校每年都有许多学生的论文涉及IC设计,由于是研究性论文,一般对工艺水平要求较高,流片费用较高,而且多数是IP核的设计,过去大多数都只做到后验证。现在,我们可以比较方便地采用MPW(Multi Product