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衰减相移掩模光刻技术研究
被引量:
2
1
作者
冯伯儒
张锦
+2 位作者
侯德胜
周崇喜
陈芬
《光电工程》
CAS
CSCD
1999年第5期4-8,12,共6页
论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究,给出了光刻曝光实验部分结果。
关键词
光刻相移掩模
衰减
相移
掩模
下载PDF
职称材料
光学光刻技术的研究进展
被引量:
3
2
作者
宋登元
王小平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期2-5,10,共5页
论述了相移光刻掩模技术和193nm准分子激光光刻技术的有关理论、实现方法、光学系统设计、透镜材料、光致抗蚀剂以及应用方面的研究进展。
关键词
相移
光刻
掩模
激光
光刻
准分子
VLSI
下载PDF
职称材料
题名
衰减相移掩模光刻技术研究
被引量:
2
1
作者
冯伯儒
张锦
侯德胜
周崇喜
陈芬
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
1999年第5期4-8,12,共6页
基金
国家自然科学基金!(69776028)
中国科学院重大项目基金
文摘
论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究,给出了光刻曝光实验部分结果。
关键词
光刻相移掩模
衰减
相移
掩模
Keywords
Lithography,Phase shifting mask,Attenuation phase shifting mask,Exposure.
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
光学光刻技术的研究进展
被引量:
3
2
作者
宋登元
王小平
机构
河北大学电子与信息工程系
张家口职工大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期2-5,10,共5页
文摘
论述了相移光刻掩模技术和193nm准分子激光光刻技术的有关理论、实现方法、光学系统设计、透镜材料、光致抗蚀剂以及应用方面的研究进展。
关键词
相移
光刻
掩模
激光
光刻
准分子
VLSI
Keywords
Phaseshift mask 193nm excimer laser lithography
分类号
TN470.57 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衰减相移掩模光刻技术研究
冯伯儒
张锦
侯德胜
周崇喜
陈芬
《光电工程》
CAS
CSCD
1999
2
下载PDF
职称材料
2
光学光刻技术的研究进展
宋登元
王小平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
3
下载PDF
职称材料
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