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衰减相移掩模光刻技术研究 被引量:2
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作者 冯伯儒 张锦 +2 位作者 侯德胜 周崇喜 陈芬 《光电工程》 CAS CSCD 1999年第5期4-8,12,共6页
论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究,给出了光刻曝光实验部分结果。
关键词 光刻相移掩模 衰减相移掩模
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光学光刻技术的研究进展 被引量:3
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作者 宋登元 王小平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期2-5,10,共5页
论述了相移光刻掩模技术和193nm准分子激光光刻技术的有关理论、实现方法、光学系统设计、透镜材料、光致抗蚀剂以及应用方面的研究进展。
关键词 相移光刻掩模 激光光刻 准分子 VLSI
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