离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响分析

本文对离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响进行了分析。离轴照明相对传统照明来讲可以提高光刻系统成像的分辨率,是光刻系统常用的照明模式。但是离轴照明光源相对光轴的强度和位置不对称性,会对光刻成像产生较大影响。因此,本文一种利用自建的一种光刻成像仿真模型,利用此模型分析了离轴二极照明下,照明光源强度不对称对193nm深紫外光刻机90nm线宽的成像影响。仿真结果表明,照明光源强度均匀对称时,离焦对成像的影响很小,照明强度不对称时,离焦对成像的影响非常大。因此,光刻时要确保掩膜照明强度均匀,减小离焦对成像线宽的影响。

直线电动机在精密光刻系统中的应用

精密光刻系统主要应用于烟、酒等产品商标的防伪。介绍了直线电动机的结构与原理,以及精密光刻系统的组成与原理。系统采用双闭环控制方式,并用高精度光栅作为反馈环节的位置测量元件,不仅提高了光刻速度,也改善了光刻精度,应用效果良好。

晶圆扫描光刻系统的有效非因果学习控制

本文提出一种有效非因果学习控制方法,用于晶圆扫描光刻系统.该方法不依赖于精确的系统建模,通过引入时间延迟因子对迭代控制系统的收敛条件进行初步整形.然后选取零相位滤波器来进行二次整形,得到收敛的非因果迭代学习控制律.根据系统的闭环特性,进一步给出延迟因子的参考设计方法和滤波器的选取原则,并对收敛性进行了分析.此外,为提高系统的扫描性能,引入有效学习函数来克服传统学习控制方法的学习盲目性,增强对关键性能指标的学习能力.最后采用模拟的晶圆扫描光刻系统来进行仿真和实验,以验证方法的有效性.

二元光栅照明对光刻系统成象特性的影响

针对光刻系统分辨力和焦深的矛盾 ,详细研究了二元光栅照明对硅片上光强以及对光刻系统传输频率的影响 .结果表明 ,二元光栅照明可显著提高光强的对比度 ,改善成象系统的频率传递函数 ,是一种比较理想的离轴照明技术。

傅里叶变换存储光刻系统的研制

研制了一种傅里叶变换存储光刻系统,为在光刻胶干版上进行傅里叶变换存储研究提供了一种有效的工具。系统采用空间光调制器作为图像输入,能够对图像进行空间、角度复用自动记录傅里叶全息图。由于曝光时间达到毫秒级,记录过程对振动不敏感,不需要防震全息台。系统输入图像的条纹最高空间频率为每毫米19线对,记录频率达每分钟10次。

一种新型光刻系统的研究

介绍了一种新型的光刻系统－全内反射全息光刻系统。着重讨论了设计该系统时的几个重要因素，给出了用该系统开展的实验研究结果。

一种新型微透镜阵列成象式投影光刻系统的研究

从理论和实验两方面入手 ,系统地研究了微透镜阵列的形成原理和制作工艺 ,分析了微透镜阵列的面形结构 ,得到了联系微透镜阵列矢高与制作工艺参量的经验公式 .并且将四片微透镜阵列耦合 ,形成一个深紫外光刻的 1 :1成象的多孔径微小光刻系统 .从几何光学理论出发 ,分析了这个光刻系统综合成象的特点 ,讨论了这种光刻系统的光学性能 。

光刻系统实验教学平台搭建及课程开展

目前我国高校开展的光刻教学课程主要集中在加工原理方面,普遍缺乏配合理论知识学习的实际工艺操作实验。大连理工大学国家级示范性微电子学院自主设计、搭建了光刻实验平台以满足学生学习实践的需要。介绍了光刻实验平台系统的设备模块构成以及知识体系,开展实验的前期准备、课堂组织、注意事项。此外,给出了部分结果,分析了课程实施的主要困难与解决方案。

一种新型可调光衰减器在光刻系统中的研究与应用

光刻曝光形成的成像分辨率是光刻系统的重要指标,而光衰减器的衰减调节能力直接影响系统的曝光效果。为了获得更大的动态调节能力,设计了一种新型可调光衰减器。该可调衰减器通过联动转镜的结构设计得到实现,当联动转镜角度从25°变化到45°时,衰减器的平均透过率从94. 2%变为7. 8%。联动结构的设计提高了系统的稳定性,并且最大程度的降低了对入射光角度的干扰。在新型光可调衰减器上设计蒸镀了两种深紫外高激光损伤阈值的光学膜。实验采用LZH ML6500 VUV-Spectrometer分光光度计对镀制样品的光谱进行测试,实验结果表明在[8%,90%]范围内光能透过率是连续可调的。应用Ar F准分子激光器,以11. 57 KW/mm2的功率密度照射能够稳定工作,符合设计要求。与传统光可变衰减器相比,该结构衰减动态调节范围宽且更稳定。

浸没式光刻系统中光束传输系统的设计

为实现浸没式光刻照明系统掩模面上高均匀照明性和不同照明模式,对照明系统中的光束传输系统进行了研究。浸没式光刻照明系统中的激光光束传输系统是光刻机中的重要组成部分,直接影响光刻机性能。针对浸没式光刻照明系统特点,提出了采用球面镜和柱面镜组合的光学结构,进行了激光准直扩束系统的光学设计与仿真分析。此外,对设计的准直扩束系统进行了公差分析,以保证在加工和装调完成后光束的发散角和口径均满足设计要求。最后,在系统完成的基础上对不同位置处的光斑尺寸进行测量。设计结果表明,系统能够满足光束在5～20 m传输光路范围内,不需要进行透镜间隔的调节,实现光斑大小和发散角满足设计要求,保证目标光束口径在(28. 5±0. 5) mm范围内,X方向发散角为1. 2 mrad,Y方向发散角为1. 84 mrad。通过分析发现,设计结果能够很好地满足指标的精度要求,具有重要的应用价值和实用意义。

基于光刻系统的精度增强技术

随着集成电路特征线宽的不断减小,当前的光刻系统中光的衍射和干涉等问题严重地影响了掩模图形的曝光准确性,而要解决这种问题的关键是采用RET(精度增强技术,Resolution Enhanced Technology)。本文对现有的RET方法从系统的角度进行了总结。从一个光刻系统的图形出发,介绍了目前与之相关的RET方法并对RET的发展前景作了展望。

MBSE在光刻系统校准仿真中的应用

随着光刻系统复杂程度的提升,传统基于文档的系统开发方法,在保持设计文档间一致性及变更影响分析的困难程度也越发提升.特别是光刻系统涉及不同学科的工程模型,这些模型在文档载体中,不能完整得体现整个系统模型的设计结果.故本文采用基于模型的系统工程MBSE开发方法建立数字系统模型弥补传统方法存在的问题.文中采用的建模语言为SysML、使用Cameo System Modeler作为开发工具.以光刻系统中的校准模块为例,描述了MBSE在光刻系统校准仿真中的应用.

FSI再收POLARIS光刻系统订单

FSI国际有限公司日前宣布再次收到POLARIS显微光刻系统订单,该订单来自一家领先的砷化镓（GaAs）器件代工厂。这一订单代表了GaAs客户数量不断增长的趋势,他们选用POLARIS,缘于该系统的卓越性能加上公司在敏感砷化镓底材处理方面的15年经验。

Mapper向台积电发货电子束光刻系统 用于22nm节点

MapperLithography日前表示，公司已经向台积电（TSMC）发货其首套300mm电子束（e．beam）无掩模光刻工具，用于22nm工艺研发和器件原型制作。

Ultratech Unity AP300宽场光刻系统

UnityAP300宽场光刻系统以Ultratech的Unity平台刑为创建基础，可为很多先进的封装应用提供高生产率和拥有超强的性价比。

ASML推出新款光刻系统成就两次图形曝光技术

据Semiconductor Reporter报道，ASML Holding

应对快速增长的HB-LED市场需求,EVG推出EVG620HBL光刻系统同类产品中,全新光刻机可带来最高的产量与收益

2011年3月8日，世界领先的先进半导体与封装、微机电系统、硅绝缘体（SOI）和新兴纳米技术市场晶圆键合与光刻设备应供应商EVG宣布，其产品组合中再添新成员。

光刻系统层间套刻精度的评估

每一代新的半导体芯片都具有更精细的结构。因此,生产线通常也就需要更新的光刻设备。为组建经济实用的生产线,就必须考虑几个因素,其中很多因素在一定程度上很容易从可选设备的指标中看到,但另一些因素却比较复杂,仅从技术指标中不易得到。 本文论述最为复杂的光刻要求,即层间套刻精度O/L。O/L是很复杂的,它不仅受设备特性的影响,还受掩模精度、对准标记质量、甚至受由工艺引起电子形变的影响。由于这种多重的依赖性,尽管O/L经常出现设备手册中,但却不能只定义为设备的特性指标。

日本科学家开发出新型带电粒子束光刻系统

日本科学家Tadashi Komagata开发出带电粒子束光刻系统，并已申请专利。此系统通过电子束或离子束用于掩模版或硅晶圆的直写光刻。