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微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究
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作者 黄洛俊 康恒 +3 位作者 程嵩 李勇滔 夏洋 景玉鹏 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第5期718-722,728,共6页
针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生倒伏的问题,采用了微波干燥方法,以抑制光刻胶纳米线条倒伏。利用微波的热效应和非热效应,降低去离子水的表面张力,使光刻胶纳米线条上的去离子水均匀、快... 针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生倒伏的问题,采用了微波干燥方法,以抑制光刻胶纳米线条倒伏。利用微波的热效应和非热效应,降低去离子水的表面张力,使光刻胶纳米线条上的去离子水均匀、快速地蒸发,有效抑制了光刻胶纳米线条的倒伏。与氮气干燥处理的传统方法相比,该方法能使高130nm、宽15nm的光刻胶纳米线条不发生倒伏,效果明显。这表明,该方法是可行和有效的。 展开更多
关键词 微波干燥 光刻胶纳米线条 表面张力 倒伏 水分子团簇
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21世纪微电子技术展望
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作者 苟永明 《现代科技译丛(哈尔滨)》 1998年第4期9-12,共4页
关键词 微电子技术 发展战略 硅片 光刻线条 亚微米
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