光刻胶剥离制程中的寄生栅极效应

在薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的公共电极制程中,有部分TFT样品的漏电流(I_(off))异常偏高,该部分样品经历同一个光刻胶剥离设备,导致该设备暂停流片,造成产能损失。明确该剥离设备造成TFT漏电流偏高的原因并予以解决,对产能和品质确保具有积极意义。本文首先收集了异常设备剥离液和正常设备的剥离液并分析成分,发现异常设备的剥离液中Al离子含量高。其次,发现TFT的I_(off)会随着在异常设备流片次数的增加而上升。其原因是Al离子在剥离制程生成Al_(2)O_(3)颗粒,该颗粒附着在TFT器件钝化层上形成寄生栅极效应,最终造成I_(off)增加。最后,结合TRIZ输出解决方案,并优选方案进行改善验证。实验结果表明,剥离液中的Al离子浓度由1×10^(-8)上升到2.189×10^(-6)时,I_(off)由3.56 pA上升到7.56 pA。当剥离液中含有Al离子,经历的剥离次数增加时,I_(off)呈上升趋势。钝化层成膜前的等离子体处理功率增强、钝化层膜厚增加可以抑制I_(off)增加。由此,可以确定剥离设备造成I_(off)偏高的原因是剥离液中的Al离子形成的寄生栅极效应,钝化层成膜前处理强化和膜厚增加均可以抑制该效应。

金属线刻蚀工序光刻胶剥离工程中金属颗粒(Cu)析出案例调查及解决方案

在现今大规模集成电路制造过程中,某些Memory,LCD产品的金属线刻蚀工序,在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒(主要是Cu颗粒)。对其工艺流程因素,机台硬件因素,产生机理进行了调查,得出了结论,并提出了有效的解决方案。

光刻胶剥离液再生过程影响产品色度的控制条件研究

文章介绍了光刻胶剥离液在电子行业的应用背景以及剥离液再生对于液晶面板生产的重要影响。正文首先介绍了影响再生液色度的主要原因,列举了可能造成产品色度不合格的各种生产条件。其次,简要说明了再生液生产过程的工艺流程及工艺参数。最后,根据数据分析及生产试验,得出影响再生液产品色度的工艺控制主要指标有:第一分离器的温度、系统真空度及重沸器液位等。

光刻胶废剥离液中分离回收水和有机溶剂研究进展

光刻胶废剥离液中含有大量的水和有机溶剂,其中包含大量有回收价值的成分。从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂可以减少对自然界的污染,实现资源化利用。综述了国内外几种从光刻胶废剥离液中回收水和有机溶剂常见分离方法及分离装置,并对不同情况下所产生效果进行分析比较。希望能为我国电子行业中光刻胶废剥离液的资源化处理提供借鉴。

Array制程光刻胶残留不良改善方法研究

光刻胶剥离制程为TFT-LCD制造Array基板的重要制程,剥离与洗净效果决定TFT产品质量。光刻胶残留是其主要不良。本文分析光刻胶残留的现象和成因,通过剥离设备的结构调整与保养、工艺参数的优化来改善光刻胶残留。研究表明,通过优化技术人员作业手法,增大剥离区间流量,严格管控剥离液药液浓度和水洗区间清洁与改造等的联合运用,可以有效避免光刻胶的大面积残留,提高产品质量,减少重剥而降低产能Loss,同时最大限度降低对真空设备的影响。