集成电路后段光刻胶去除技术进展

光刻胶去除是集成电路制造的关键工艺之一。随着集成电路技术的发展,先后出现了铝钨金属连接、铜互联大马士革工艺,尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现,对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战。结合图形化工艺技术进展,溶剂类光刻胶去除剂、羟胺类光刻胶去除剂、含氟类半水性光刻胶去除剂、双氧水类水性光刻胶去除剂先后成为市场主流。以集成电路图形化工艺发展为主线,对不同种类光刻胶去除剂进行概括介绍,并分析其优缺点,为中国光刻胶去除技术发展提供借鉴意义。

多绝缘层结构Spindt阴极设计及工艺实现

介绍了以SiO_(2)/Si_(3)N_(4)/SiO_(2)为绝缘层的夹层结构Spindt阴极并探索了两种工艺实验方法。将干法和湿法腐蚀相结合实现了侧壁崎岖的绝缘层空腔。通过精确调节绝缘层干法刻蚀时间,结合N-甲基吡咯烷酮和等离子体去胶的工艺,解决了光刻胶变性难以去除的问题。在扫描电子显微镜下观察到顶层SiO_(2)直径3.8μm、底层SiO_(2)直径2μm、中间层Si_(3)N_(4)和自对准钼栅孔直径1.1μm、尖锥高度1.1μm的冷阴极结构形貌。研究表明,这种崎岖的侧壁能够在测试时阻断沿路放电,在大电压下能够缓解电弧放电现象,降低冷阴极的损坏。

EBR返溅影响因素

半导体污染控制是芯片生产工业面对的首要挑战之一,特征尺寸越来越小,就需要晶圆上多层光刻胶叠加涂覆。在表面张力与晶圆旋转的双重作用下,留在晶圆边缘的光刻胶在旋涂结束后,晶圆的边缘正反两面都会有光刻胶的堆积。晶圆边缘光刻胶涂布不均匀,使得边缘图形变差,还容易发生光刻胶剥离,从而影响其他区域的图形,所以晶圆边缘多余的光刻胶需要去除。因此,边缘光刻胶的去除(EBR,Edge Bead Removal)方法应运而生。基于工艺实验,研究了关于EBR返溅的影响因素,从而找到最优的EBR工艺条件。