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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
1
作者
曾祥余
马奎
杨发顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表...
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。
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关键词
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
Ga_(2)O_(3)薄膜
刻蚀速率
光刻胶掩膜
低粗糙度表面
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职称材料
玻璃微流控芯片的低成本制作技术
2
作者
李东玲
温志渝
+1 位作者
尚正国
王胜强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期820-824,共5页
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以商用显微载玻片作为基底材料,采用普通负性光刻胶RFJ-220为腐蚀掩模,通过优化光刻及湿法腐蚀工艺,可得到...
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以商用显微载玻片作为基底材料,采用普通负性光刻胶RFJ-220为腐蚀掩模,通过优化光刻及湿法腐蚀工艺,可得到深度大于40μm(最深可达110μm),侧向钻蚀比为1.25∶1,表面粗糙度小于5.2nm的微沟道。重点解决了光刻胶与基底之间的粘附性问题,并分析了腐蚀液的配比及腐蚀方式等对沟道形貌的影响。整个制作工艺过程简单,成本低,稳定性好,可广泛应用于玻璃微流控芯片的制作中。
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关键词
微流控芯片
湿法腐蚀
光刻胶掩膜
侧向钻蚀比
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职称材料
题名
基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
1
作者
曾祥余
马奎
杨发顺
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期624-628,共5页
基金
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01))。
文摘
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。
关键词
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
Ga_(2)O_(3)薄膜
刻蚀速率
光刻胶掩膜
低粗糙度表面
Keywords
inductively coupled plasma(ICP)etching
Ga_(2)O_(3)film
etchingrate
photoresist mask
low roughness surface
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
玻璃微流控芯片的低成本制作技术
2
作者
李东玲
温志渝
尚正国
王胜强
机构
新型微纳器件与系统国家重点实验室
重庆大学微系统研究中心
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期820-824,共5页
基金
国家"863"计划项目(2009AA04Z327)
文摘
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以商用显微载玻片作为基底材料,采用普通负性光刻胶RFJ-220为腐蚀掩模,通过优化光刻及湿法腐蚀工艺,可得到深度大于40μm(最深可达110μm),侧向钻蚀比为1.25∶1,表面粗糙度小于5.2nm的微沟道。重点解决了光刻胶与基底之间的粘附性问题,并分析了腐蚀液的配比及腐蚀方式等对沟道形貌的影响。整个制作工艺过程简单,成本低,稳定性好,可广泛应用于玻璃微流控芯片的制作中。
关键词
微流控芯片
湿法腐蚀
光刻胶掩膜
侧向钻蚀比
Keywords
mierofluidie chip
wet etching
photoresist mask
undercut ratio
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
曾祥余
马奎
杨发顺
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
玻璃微流控芯片的低成本制作技术
李东玲
温志渝
尚正国
王胜强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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