光刻胶灰化用于全息离子束刻蚀光栅制作

针对全息离子束刻蚀衍射光栅制作中,光刻胶光栅浮雕图形的制作是至关重要和困难的,引入O2反应离子刻蚀对光刻胶光栅进行灰化处理,给出光刻胶灰化技术在全息离子束刻蚀衍射光栅制作闪耀光栅、浅槽矩形位相光栅、自支撑透射光栅中的具体应用。实验结果表明,这一新工艺的突出优点是降低了苛刻的全息曝光、显影要求,使得光栅线条光滑、线空比和槽深可控。

光刻胶灰化技术用于同步辐射闪耀光栅制作

在分析光刻胶光栅浮雕图形缺陷成因的基础上 ,首次将光刻胶灰化工艺引入到全息 离子束刻蚀制作闪耀光栅工艺中 ,并成功地为国家同步辐射实验室光化学站制作了 1 2 0 0 1 /mm ,闪耀波长为 1 30nm的锯齿槽形光栅。测试结果表明光刻胶灰化处理对制作大面积优质的光刻胶光栅非常有效和实用。

反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究

以AZ1500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶。研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势。经过反应离子束刻蚀后,光栅槽底残余光刻胶被去除干净,同时线条的宽度变细,在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的。用原子力显微镜检测,无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化。该工艺具有良好的可控性,解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题。

全息光刻-离子束刻蚀制作磁性亚微米结构

激光干涉制作亚微米尺寸磁性周期结构中,基底材料具有高反射率,由于垂直驻波的影响,光刻胶浮雕图形侧壁产生"束腰",本文将O2反应离子刻蚀引入到制作工艺中,对光刻胶图形进行修正,获得了很好的效果,具有工艺简单、可控性好等特点。以50nm厚的由磁控溅射生长的Ta/Co0.9Fe0.1/Ta薄膜为基底,采用激光干涉光刻结合离子束刻蚀转移图形的方式,制作出了特征尺寸为330nm Co0.9Fe0.1亚微米周期结构,并采用SQUID的技术对其磁滞回线进行了研究。

同步辐射球面闪耀光栅的研制

A spherical blazed grating (SBG) of 1200l/mm was successfully fabricated for the Seya Namioka monochromator of photochemistry experiment station at National Synchrotron Radiation Laboratory with the holographic ion beam technique. In addition to the general process, the photoresist ashing technique is developed for achieving good quality gratings.

微细加工技术与设备

TN305.2 99042750液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶=Nano—crystallinecarbon nitrides prepared by laser ablatingsolid target in liquid[刊,中]/刘秋香,王金斌,杨国伟(湘潭大学现代物理研究所.湖南,湘潭(411105))//微细加工技术.—1998,(2).