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深紫外深度光刻蚀在LIGA工艺中的应用 被引量:2
1
作者 余国彬 姚汉民 +1 位作者 胡松 陈兴俊 《微纳电子技术》 CAS 2002年第4期30-32,共3页
随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺。本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功地应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验结果表明深紫外光深度光刻具有很大的实用意义。
关键词 深紫外深度光刻蚀 LIGA工艺 微型机电系统 微细加工
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光刻蚀法制备水凝胶微图案及其应用 被引量:3
2
作者 刘欣 沈峥 +3 位作者 吴大朋 王琪 秦建华 林炳承 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期298-300,共3页
Hydrogel micropatterns of poly(ethylene glycol) and polyacrylamide were prepared with a facile photolithographic method. Monomer solutions containing photoinitiator were directly polymerized by UV illumination through... Hydrogel micropatterns of poly(ethylene glycol) and polyacrylamide were prepared with a facile photolithographic method. Monomer solutions containing photoinitiator were directly polymerized by UV illumination through a transparency photomask, forming 2-dimensional gel patterns on silanized glass surfaces. The chemically patterned surfaces thus prepared could be used as the template for patterning mammalian cells and formation of structured droplets. 展开更多
关键词 水凝胶 光刻蚀 微图案 表面与界面
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硅基纳米金属光刻蚀结构的侧向光伏效应
3
作者 周德军 张静 王辉 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期275-277,共3页
研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米金属异质结构.使用纳米光刻蚀技术在金属层上按照设计的条纹图... 研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米金属异质结构.使用纳米光刻蚀技术在金属层上按照设计的条纹图形进行光刻蚀加工,得到硅基纳米金属光刻蚀结构.在对结构进行I-V特性测量的过程中发现侧向光伏效应.使用635nm,功率5mW激光器时,其侧向光伏效应的最大灵敏度为4.844mV·mm-1,并且线性度较好. 展开更多
关键词 磁控溅射 纳米光刻蚀 半导体异质光伏效应结构 侧向光伏效应
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一种微光刻全息记录新材料:光刻蚀纤维素软片成像机理及其特性研究 被引量:1
4
作者 朱建华 郭履容 +1 位作者 唐继跃 曾红军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期1301-1305,共5页
报道一种新型的聚合物全息记录材料:光刻蚀纤维素软片(PCF),对该材料较强的实时特性、较高的分辨本领、线性的表面浮雕调制特性等进行了实验研究,同时通过电子自旋共振谱(ESR)、红外谱(IR)等手段研究了其成像过程中的... 报道一种新型的聚合物全息记录材料:光刻蚀纤维素软片(PCF),对该材料较强的实时特性、较高的分辨本领、线性的表面浮雕调制特性等进行了实验研究,同时通过电子自旋共振谱(ESR)、红外谱(IR)等手段研究了其成像过程中的光化学反应过程,证实了它的光降解机理。 展开更多
关键词 全息记录材料 光刻蚀 纤维素软片 光解材料
原文传递
新型光刻蚀纤维素软片及其优良特性
5
作者 朱建华 周兰 《激光与光电子学进展》 CSCD 1995年第A01期100-100,共1页
关键词 光刻蚀 纤维素软片 PCF 材料
原文传递
软刻蚀技术及其应用 被引量:6
6
作者 陈长琦 王艳 +1 位作者 王旭迪 汪力 《真空》 CAS 北大核心 2003年第6期11-14,共4页
软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,作为非光刻微米和纳米量级微加工方法,加工的分辨率可以达到5nm100μm,它克服了传统光刻技术的缺陷,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低... 软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,作为非光刻微米和纳米量级微加工方法,加工的分辨率可以达到5nm100μm,它克服了传统光刻技术的缺陷,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低成本途径。本文将主要介绍微接触印刷、近场光刻蚀、纳米压印等软刻蚀方法的原理、方法以及面临的问题,并简介了它们在微米和纳米加工、微电子学、材料科学、光学、微电子机械系统、表面化学等方面应用。 展开更多
关键词 软刻 图形复制技术 微接触印刷 近场光刻蚀 纳米压印
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ArF激光光致抗蚀剂的研究进展 被引量:2
7
作者 余尚先 杨凌露 张改莲 《感光科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期61-71,共11页
本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀... 本文对近10年来有关ArF激光(193nm)光致抗蚀剂的研究开发情况进行了调研,对193nm光致抗蚀剂组成物的各个组分进行了归纳综述.从本文可以看出,利用193nm成像技术可以刻画线幅很细(<0.13μm)的图像,能适应信息技术的发展对于光致抗蚀剂高分辨率的要求.但若想将193nm成像技术在实践中推广应用,还有诸多问题需待研究解决. 展开更多
关键词 ArF激光 光致抗 化学增幅 矩阵树脂 光产酸源 集成电路 光刻蚀 氟化氪
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软刻蚀技术 被引量:1
8
作者 王奕 《宿州教育学院学报》 2006年第5期108-109,111,共3页
软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低成本途径。软刻蚀是微接触印刷、复制模塑、转移微模塑、毛细微模塑、溶剂辅助微模塑等的总称。本文... 软刻蚀是通过表面带图案的弹性模板来实现图案的转移的图形复制技术,为形成和制作平面和曲面上的微米和纳米图案提供了简便、有效的低成本途径。软刻蚀是微接触印刷、复制模塑、转移微模塑、毛细微模塑、溶剂辅助微模塑等的总称。本文将主要介绍软刻蚀技术原理、方法以及应用。 展开更多
关键词 软刻 微接触印刷 微模塑 毛细微模塑 近场光刻蚀 弹性模板
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刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响 被引量:2
9
作者 郭婷 左潇 +4 位作者 郭鹏 李晓伟 吴晓春 谢仕芳 汪爱英 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期143-149,共7页
目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响。方法采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜... 目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响。方法采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积。使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构。结果辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时,作用的等离子体离子为高密度的Ar离子和少量的C离子,并且能够在基体表面形成约15 nm的界面层,并实现非晶碳膜(a-C)的预沉积。随电弧等离子体刻蚀时间增加,ta-C薄膜的sp3含量有所降低。结论相比于辉光刻蚀,电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C薄膜。这主要是因为电弧刻蚀时,基体表面形成良好的界面混合层,并预沉积了非晶碳膜,形成a-C/ta-C的梯度结构,有助于增强膜基结合力。 展开更多
关键词 四面体非晶碳膜 光刻蚀 电弧刻 时间 结构
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保偏光纤技术进展及发展趋势 被引量:12
10
作者 陈伟 李诗愈 +1 位作者 成煜 陆大方 《光通信研究》 北大核心 2003年第6期54-57,共4页
文章阐述了保偏光纤(PMF)的基本原理和制造技术,分析了国内外PMF的技术进展及PMF的发展趋势.
关键词 保偏光纤 双折射 光纤传感器 光纤陀螺 气相腐 光刻蚀
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聚合物三维微图案加工的转移微模塑新方法 被引量:2
11
作者 王哲 邢汝博 +1 位作者 韩艳春 李滨耀 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期946-948,共3页
光刻蚀技术[1]是微电子加工技术中最成功的一种, 但由于受到光学衍射等的限制, 100 nm是光刻蚀的极限, 为此人们探索了许多先进的刻蚀技术[2,3], 如超紫外线刻蚀(EUV)、软X射线刻蚀、电子束刻蚀和聚焦离子束刻蚀(FIB)等, 可制作尺寸小于... 光刻蚀技术[1]是微电子加工技术中最成功的一种, 但由于受到光学衍射等的限制, 100 nm是光刻蚀的极限, 为此人们探索了许多先进的刻蚀技术[2,3], 如超紫外线刻蚀(EUV)、软X射线刻蚀、电子束刻蚀和聚焦离子束刻蚀(FIB)等, 可制作尺寸小于100 nm的图形, 但普遍存在加工速度慢及成本高等缺点. 展开更多
关键词 转移微模塑 弹性软模板 聚合物三维微图案 加工 光刻蚀技术 微电子加工技术
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基于电耦合数字成像技术的野战便携式X线机数字成像系统设计 被引量:3
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作者 黄家富 陈海峰 +1 位作者 张远林 吉峰云 《中国医学装备》 2006年第8期20-22,23,共4页
X线检查是基层单位常用检查方法之一,针对在野外环境下实时获取X线图像的实际需要,本文提出了利用电耦合数字成像技术构建野战便携式X线机数字成像系统,提出了系统硬件和软件的实现方案。
关键词 电耦合数字成像 X射线CCD 光刻蚀
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图案化自组装有机单分子薄膜 被引量:1
13
作者 介燕妮 樊慧庆 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期233-237,共5页
目的图案化自组装有机单分子薄膜,开辟低成本、高效率制备有机单分子薄膜图案的新途径。方法采用光刻蚀的方法制备聚二甲基硅氧烷(PDMS)模子,通过模板诱导组装,将有机分子十六烷基硫醇(HDT)、1,10-癸二硫醇(DDT)和4-十二烷基硫醇邻苯二... 目的图案化自组装有机单分子薄膜,开辟低成本、高效率制备有机单分子薄膜图案的新途径。方法采用光刻蚀的方法制备聚二甲基硅氧烷(PDMS)模子,通过模板诱导组装,将有机分子十六烷基硫醇(HDT)、1,10-癸二硫醇(DDT)和4-十二烷基硫醇邻苯二酚(MBD)选择性沉积在金表面。结果得到规则有序的有机单分子层图案。结论利用有机分子端基官能团功能化金表面,这种被功能化的金试样是形成纳米颗粒图案和制备有机分子器件的基础。 展开更多
关键词 自组装单分子薄膜 光刻蚀 聚二甲基硅氧烷 微接触印刷术
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激光引发化学气相沉积
14
作者 史济良 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 1989年第1期45-47,共3页
激光引发化学气相沉积(LICVD)已被广泛研究。它将是继激光分离铀同位素成功之后激光技术应用的另一个突破口。这一研究涉及到激光、微电子学、光化学和表面物理学等边缘学科。这一研究成果的潜在应用范围包括半导体、大规模集成电路、... 激光引发化学气相沉积(LICVD)已被广泛研究。它将是继激光分离铀同位素成功之后激光技术应用的另一个突破口。这一研究涉及到激光、微电子学、光化学和表面物理学等边缘学科。这一研究成果的潜在应用范围包括半导体、大规模集成电路、太阳能电池以及可以促进半导体超晶格量子阱等基础研究。 展开更多
关键词 化学气相沉积 铀同位素 激光波长 激光技术 表面物理 超晶格 光刻蚀 基础研究 量子阱 沉积方法
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构筑生物分子微图案的研究进展 被引量:1
15
作者 姚树寅 晏海英 +1 位作者 吴仲岿 陈红 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期156-160,151,共6页
随着微加工技术的发展,在材料表面构筑功能化的纳微米级图案越来越成为关注的热点。在生物科学领域,光刻蚀、微接触印刷和蘸笔纳米平板印刷等微图案技术被广泛应用并实现了生物分子在几十纳米微区域上的固定。生物分子在微纳米区域内的... 随着微加工技术的发展,在材料表面构筑功能化的纳微米级图案越来越成为关注的热点。在生物科学领域,光刻蚀、微接触印刷和蘸笔纳米平板印刷等微图案技术被广泛应用并实现了生物分子在几十纳米微区域上的固定。生物分子在微纳米区域内的成功固定大大推动了生物微分析、生物芯片、生物微器件等生物技术及相关领域的发展。本文从分析生物分子与材料表面的相互作用入手,较为系统地评述了构筑生物分子微图案的几种重要方法,并对生物分子微图案技术的发展做了展望。 展开更多
关键词 生物分子微图案 光刻蚀 微接触印刷 蘸笔纳米平板印刷技术
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Effect of KOH treatment on structural and photovoltaic properties of ZnO nanorod arrays 被引量:2
16
作者 周艺 李荡 +3 位作者 黄燕 何文红 肖斌 李宏 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期2736-2741,共6页
ZnO nanorod arrays (NRs) were synthesized on the fluorine-doped SnO2 transparent conductive glass (FTO) by a simple chemical bath deposition (CBD) method combined with alkali-etched method in potassium hydroxide... ZnO nanorod arrays (NRs) were synthesized on the fluorine-doped SnO2 transparent conductive glass (FTO) by a simple chemical bath deposition (CBD) method combined with alkali-etched method in potassium hydroxide (KOH) solution. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and current-voltage (I-V) curve were used to characterize the structure, morphologies and optoelectronic properties. The results demonstrated that ZnO NRs had wurtzite structures, the morphologies and photovoltaic properties of ZnO NRs were closely related to the concentration of KOH and etching time, well-aligned and uniformly distributed ZnO NRs were obtained after etching with 0.1 mol/L KOH for 1 h. ZnO NRs treated by KOH had been proved to have superior photovoltaic properties compared with high density ZnO NRs. When using ZnO NRs etched with 0.1 mol/L KOH for 1 h as the anode of solar cell, the conversion efficiency, short circuit current and open circuit voltage, compared with the unetched ZnO NRs, increased by 0.71%, 2.79 mA and 0.03 V, respectively. 展开更多
关键词 ZnO nanorod arrays SnO2 transparent conductive glass alkali etching structural properties photovoltaic properties solar cells
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DNA芯片生产竞赛 被引量:2
17
作者 李昕 《国外科技动态》 2000年第2期40-40,44,共2页
关键词 DNA芯片 生产技术 光刻蚀 喷墨打印
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全息术、器件与应用
18
《中国光学》 EI CAS 1997年第4期50-51,共2页
TB877 97042448全息光学元件中编码与象质和衍射效率的关系=Relationsof coding with image quality and diffractionefficiency in holographic optical elements[刊,中]/石建川,李慎,刘盛纲(电子科技大学高能电子学研究所.四川,成都(6... TB877 97042448全息光学元件中编码与象质和衍射效率的关系=Relationsof coding with image quality and diffractionefficiency in holographic optical elements[刊,中]/石建川,李慎,刘盛纲(电子科技大学高能电子学研究所.四川,成都(610051))//光电工程.—1996,23(5).—24-28,72以平面波束变换为十字光束的全息光学元件为例, 展开更多
关键词 全息光学元件 衍射效率 数字重现 傅立叶变换 研究所 高能电子 电子科技大学 光刻蚀纤维素软片 光电工程 相移全息
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Optimization of Plasma Etching Parameters and Mask for Silica Optical Waveguides 被引量:1
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作者 周立兵 刘文 吴国阳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1104-1110,共7页
Optical waveguides in silica-on-silicon are one of the key elements in optical communications.The processes of deep etching silica waveguides using resist and metal masks in RIE plasma are investigated.The etching res... Optical waveguides in silica-on-silicon are one of the key elements in optical communications.The processes of deep etching silica waveguides using resist and metal masks in RIE plasma are investigated.The etching responses,including etching rate and selectivity as functions of variation of parameters,are modeled with a 3D neural network.A novel resist/metal combined mask that can overcome the single-layer masks’ limitations is developed for enhancing the waveguides deep etching and low-loss optical waveguides are fabricated at last. 展开更多
关键词 reactive ion etching silica-on-silicon optical waveguides 3D neural network
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Fabrication of Silicon Crystal-Facet-Dependent Nanostructures by Electron-Beam Lithography
20
作者 杨香 韩伟华 +2 位作者 王颖 张杨 杨富华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1057-1061,共5页
Silicon crystal-facet-dependent nanostructures have been successfully fabricated on a (100)-oriented silicon-oninsulator wafer using electron-beam lithography and the silicon anisotropic wet etching technique. This ... Silicon crystal-facet-dependent nanostructures have been successfully fabricated on a (100)-oriented silicon-oninsulator wafer using electron-beam lithography and the silicon anisotropic wet etching technique. This technique takes advantage of the large difference in etching properties for different crystallographic planes in alkaline solution. The minimum size of the trapezoidal top for those Si nanostructures can be reduced to less than 10nm. Scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) observations indicate that the etched nanostructures have controllable shapes and smooth surfaces. 展开更多
关键词 silicon nanostructure anisotropic wet etching electron-beam lithography
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