光刻过程RtR控制方法研究进展分析

首先对光刻过程和RtR(Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构。然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过程RtR控制器EWMA,MPC和ANN进行了综述和评价,对这三种控制器在非线性控制、单变量控制、多变量控制的适用性和优化控制效果进行了比较分析。最后指出基于MPC的非线性多变量控制器将成为光刻过程RtR控制器的主要研究方向。

基于LS-SVM的光刻过程R2R预测控制方法

针对光刻过程非线性、时变和产品质量不易在线测量的特性,提出了一种基于最小二乘支持向量机预测模型和微粒群滚动优化方法的批次控制预测控制器。通过历史批次样本数据构建光刻过程的最小二乘支持向量机预测模型,解决了复杂光刻过程难以建立精确数学模型的难题,提高了预测模型的精度。通过预测误差的反馈校正和微粒群滚动优化算法求解最优控制律,提高了控制精度。性能分析结果表明,与指数加权移动平均方法及非线性模型预测控制方法相比较,批次控制预测控制器控制器减小了不同批次关键尺寸输出的差异,显著降低了关键尺寸输出的均方根误差,有效抑制了过程扰动影响。

基于LS-SVM模型和扰动估计的光刻过程智能R2R预测控制

针对光刻过程非线性、时变和产品质量不能在线测量的特性,提出了一种基于最小二乘支持向量机(LS-SVM)预测模型、灰色模型估计扰动和克隆选择滚动优化的智能run-to-run(R2R)预测控制策略;由历史批次样本数据构建光刻过程的离线预测模型和由前驱批次的预测误差通过灰色GM(1,1)模型估计扰动实现反馈校正,提高了预测模型的精度;通过基于克隆选择滚动优化算法求解最优控制律,提高了控制精度;性能分析结果表明,提出的控制策略显著降低了关键尺寸(CD)的均方根误差,与EWMA及NMPC方法相比较,RMSE分别平均降低了66%、63%和51%、48%。

集成电路光刻过程中的ECO技术

在现阶段深亚微米化的集成电路产业中,设计与制造已经出现日益严重的脱节,生产加工过程带来的重修正问题使得设计-生产周期大大加长,为了克服这个弊端,随之而来的反馈修正技术(ECO技术)应运而生。以光刻过程中光学临近矫正(OPC)技术所涉及到的反向修正技术为例,介绍了几种目前产业界所主要采用(或即将采用)的方法,并为此提出了几个目前所亟待解决的问题。

【国际资讯】信越化学将于2028年量产封装基板制造新设备

日本信越化学6月宣布,开发了一种全新的半导体封装基板制造设备,和继Micro LED制造系统之后的新制造方法。这项技术放弃先前使用光刻设备来形成布线的传统方法,而是使用激光在基板上蚀刻布线。由于不再需要光刻过程,并且消除了对Chiplet(小芯片封装)中介层的需求,基板制造初期投资将减少一半以上。信越化学介绍,该系统是一种高性能准分子激光加工系统,通过将半导体前段工艺中使用的“双镶嵌(Dual Damain)”方法应用于后段工艺的封装基板生产,可以将中介层的功能直接集成到封装基板中。它不仅消除了对中介层的需求,而且还实现了传统方法无法实现的微纳加工。由于该种封装基板的制造不需要光刻胶工艺,因此还可以降低成本,减少资本投资。如今先进半导体行业前段工艺在纳米尺度方面正逼近物理极限,正寻求通过Chiplet技术来提升性能,该技术需要将多个小芯片封装在中间的基板上并相互连接,这些中间基板被称为中介层。