光化学蚀刻技术用于加工平面薄金属零件的研究

文章介绍了平面薄金属零件的光化学蚀刻加工工艺及精度控制，并从技术和经济角度将这一工艺与模具冲压工艺进行了比较。

光化学蚀刻实验线的一些问题研究

本文主要对光化学蚀刻实验线的一些问题进行了研究。测定了曝光机的光密度均匀区数据以及曝光图形线宽分布数据，为实验线提供了保证曝光质量的定量依据。还测定了实验线所用工业三氯化铁溶液的自由酸度，研究了蚀刻性能与自由酸度的关系，给出了能获得较好蚀刻质量的蚀刻液自由酸含量范围。并且通过实验线试作了引线框架，试作结果表明影响蚀刻质量的因素是多方面的，尤其需注意因模板面积不同而造成的蚀刻特性的变化对尺寸精度产生的影响。

光化学蚀刻制造工艺

光化学蚀刻(PCM)是指利用摄影技术生成的掩膜,通过选择性化学侵蚀生产无毛刺、无应力的平整金属元件的工程生产技术。金属加工目前主要有几种手段:蚀刻、冲压、激光、CNC、线切割、电脉冲等,而蚀刻加工与其它加工手段相比有很多优点:可加工绝大部分金属及合金;加工精度高;可加工形状复杂的元件;加工过程中无应力产生;加工成本较低廉;工艺灵活,大型或小型生产均可;产品无任何毛刺;对被加工材料的主要性能无影响;光刻工具价格低廉;光刻工具易于改进等,因此广泛应用于各类金属加工中。

清华大学光化学蚀刻成型技术新进展

由清华大学材料科学与工程系承担的“光化学蚀刻成型技术”项目近日通过了教育部组织的成果鉴定。该成果对微电子封装中的关键高技术之一“光化学蚀刻成型技术”进行了系统研究。

对硅片进行无抗蚀膜光化学蚀刻的一种新方法

研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法 ,使用过氧化氢 (H2 O2 )和氟酸 (HF)作为光化学媒质 ,使用ArF紫外激光作为光源 ,无需事先加工抗蚀膜 ,可直接在硅表面进行蚀刻。在H2 O2 与HF的浓度比为 1.3时 ,蚀刻效果最佳 ,当激光能量密度为 2 9mJ/cm2 ,照射脉冲数为 10 0 0 0次时 ,得到 2

利用紫外激光以及H_2O_2和HF的混合溶液对硅片进行光化学蚀刻

讨论了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的方法，使用过氧化氢和氟化氢混合水溶液作为化学媒质，分别使用１９３ｎｍ准分子激光和２６６ｎｍ四倍频固体Ｎｄ︰ＹＡＧ激光作为光源．实验结果显示，可以不需要任何抗蚀膜，直接在硅表面进行图案蚀刻．对于１９３ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ质量比为１．３时，得到最佳蚀刻深度．在２９ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和１００００个脉冲照射下，得到２１０ｎｍ的蚀刻深度．在相同条件下，使用Ｈ２Ｏ２与ＨＦ混合液时的蚀刻深度大约是使用Ｈ２Ｏ与ＨＦ混合液时的４倍．对于２６６ｎｍ波长，在Ｈ２Ｏ２／ＨＦ 质量比为２时， 得到最佳蚀刻深度． 在１２ｍＪ·ｃｍ～（－２）能量密度和３００００个脉冲照射下，得到４２０ｎｍ的蚀刻深度．

电化学抛光用于光刻工艺的研究

研究了光化学蚀刻与电化学抛光相结合的加工工艺 ,讨论了加工过程中各种因素对加工的影响及加工工艺的适用场合。试验结果表明电流密度、加工时间是控制加工深度的关键因数 ;抛光液温度对加工深度影响不明显 ,应控制在产生良好表面质量的范围内。

国产印刷电路板式换热器的首次工业应用研究

印刷电路板式换热器(PCHE)具有构造紧凑、传热效率高、可承受高温和高压、无管束振动、排放容积小以及安全性高等优点,在军工舰船、航空航天、海洋油气开采、石油精细化工及核工程等领域具有常规换热器难以比拟的优势。然而该设备的研制技术一直被国外公司垄断。为了推动我国PCHE的国产化进程,介绍了PCHE的结构、工作原理及工业应用情况,分析了PCHE研制过程中要攻克的关键技术,包括PCHE热力与结构协同设计、芯体板片的光化学蚀刻技术、芯体的真空扩散焊成型技术及PCHE的集成建造与检测评价技术,展望了PCHE在我国的市场前景。我国在PCHE的上游(换热芯体设计和传热计算)领域、中游(板片光化学蚀刻、真空扩散焊接)领域及集成建造方面已经拥有成熟的技术及经验积累,这将为该技术在我国实现全面国产化奠定基础。

明智之选 成功之源——访美国Tecomet公司总裁Peter Wong

Tecomet公司主营制造和医疗科技研发，40年间一直与一些知名公司保持合作。Tecomet公司在净成型锻造、光化学蚀刻、精密加工、医疗假体关键性部件和复杂组装件的金属连接、航空航天、国防以及工业专业器材等方面表现卓越。

明智之选成功之源

Tecomet公司主营制造和医疗科技研发，40年来一直与一些知名公司保持合作。Tecomet公司在净成型锻造、光化学蚀刻、精密加工、医疗假体关键性部件和复杂组装件的金属连接、航空航天、国防以及工商界专业器材等方面都具有卓越的表现。