光照血栓中风模型的研究进展

中风具有高致死率、致残率及复发率的特点,一直是人类未能攻克的疾病。中风主要分为出血性中风和缺血性中风,后者占所有中风事件的百分之八十。科学家们一直致力于开发有效的预防治疗中风的药物,方便实用的模型是病理机制研究和药物的筛选过程中非常重要的支撑和保障。在众多缺血性中风模型中,光照血栓模型以操作简便且创伤性小、不需要开颅手术、死亡率低。等独特的优势得到了越来越多的认可。该模型可通过调整激光照射大脑区域内的位置来控制血栓形成的部位,通过调整造模染料的剂量及激光照射的强度和时间来控制缺血灶形成的大小,适合于缺血性中风过程中神经退行性病变,神经保护和神经再生的细胞和分子机制研究及抗中风药物的开发。本文对光照血栓性中风模型的原理、优缺点以及在药物开发中的应用进行了叙述。

局灶性脑缺血大脑皮质扩散性抑制波的动态观察

目的:观察局灶性脑缺血后非缺血区皮质的扩散性抑制波(SD)。方法:Sprague-Dawley大鼠12只,随机分为光化学诱导组、光化学抑制组、大脑中动脉栓塞(MCAO)诱导组和MCAO抑制组,每组各3只。前2组制备光化学血栓脑缺血模型,后2组制备MCAO脑缺血模型,光化学抑制组和MCAO抑制组分别于造模前给予MK-801抑制SD。采用电生理学方法记录非缺血区(枕叶皮质)细胞外直流电位变化。结果:光化学诱导组和MCAO诱导组记录到幅度约10～30mV,时程约1～2min的SD,光化学抑制组和MCAO抑制组未记录到SD。结论:局灶性脑缺血诱导的SD传播到非缺血区,这一现象可能与局灶性脑缺血模型中远隔损伤的发生有关。