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CdTe／ZnTe多量子阱光双稳器件的研究
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作者 黄培中 张俊 潘光启 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期127-131,共5页
介绍了由分子束外延技术生长的ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱光双稳器件的工作原理以及制作、结构、测试方法及测试结果，在５３２ｎｍｎ波长下两个样品都观察到了典型的光双稳态现象．
关键词 超晶格 多量子阱 光双稳态器件 半导体
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