银团簇纳米颗粒的制备及其光吸收谱性质

采用自悬浮定向流技术制备银团簇纳米颗粒,理论分析了银团簇的成核机理与影响因素,实验研究了制备条件和工艺。结果表明:惰性气体的冷却效率、气体流速和压强、金属熔球的温度和大小是控制颗粒尺寸大小及分布的关键条件,制备粒径小于10 nm的团簇颗粒须采用氦气为载流气体;团簇颗粒流速越大,颗粒粒径越小,尺寸分布越窄,但颗粒生成数量越少。性能表征说明:制备的颗粒呈较规则的球形,为面心立方结构,分散均匀,表面纯净无氧化,粒径分布窄。理论与实验研究了银团簇纳米颗粒的光学吸收谱性质,证明表面等离子共振吸收峰与颗粒的尺寸有很强的相关性,随着颗粒尺寸的减小,由于量子尺寸效应,吸收峰将发生宽化和蓝移。

半导体CdSSe量子点10K光致发光谱和光吸收谱研究

在 10K温度下 ,通过光致发光和光吸收谱实验研究半导体CdSSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、量子点电子能级的温度效应。

钇铁石榴石薄膜材料的光吸收谱及Bi、Al掺入对谱的影响研究

采用单离子晶场跃迁模型，拟合出钇铁石榴石（ＹＩＧ）薄膜材料的光吸收谱，与实验谱吻合得较好。从实验和理论上分析了（ＢＩＡＩ）ＹＩＧ 薄膜材料的光吸收谱，结果表明，Ａｌ３＋离子的作用如同稀释剂一样，减小了光吸收，Ｂｉ３＋离子由于其强的自旋轨道耦合作用，增大了跃迁振子强度和跃迁线宽，从而增大了光吸收损耗，在此基础上所作的（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ的理论谱与实验谱符合得较好。

Ag-BaO复合薄膜光吸收谱中的双峰结构

经超额Ba激活的Ag BaO复合薄膜光吸收谱显示 ,该薄膜样品在可见 近红外光波段存在 2个吸收峰。理论分析表明 ,位于可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag纳米粒子的表面等离子激元共振吸收 ;而位于近红外光区的次吸收峰则是由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起的。杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关。

中子辐照诱生F_3聚集心对刚玉晶体光吸收谱影响研究

利用嵌入原子簇模型结合F心的类H离子波函数 ,研究了α Al2 O3晶体中F3聚集型色心存在时 ,晶体的能带结构、态密度、Mulliken电荷布居的变化 ,讨论了色心的光学吸收跃迁模式。结果表明 ,由于F3聚集心的存在 ,在α Al2 O3晶体的禁带中引入了 1个单能级和 1个双重简并色心能级 ,产生了一个 3 54eV的从色心能级到导带底的新的吸收跃迁。与中子辐照后的刚玉晶体的光学吸收实验结果比较 ,实验测得的 0 356 μm(3 4 83eV)处的吸收峰是由于F3聚集心的电子的吸收跃迁所引起的。同时发现F3聚集心的格点处的电荷布居比单F心格点处的电荷布居小。

YIG及Bi－YIG薄膜材料的光吸收谱的微观机理研究

采用ＤＶ－Ｘα方法计算了ＹＩＧ薄膜的电子结构，在能态密度的基础上，得出了导致光吸收的两种电荷转移跃迁。在１２～２０ｃｍ－１×１０３波长范围，计算出了与实验一致的吸收谱。Ｂｉ３＋离子的掺入，增大了跃迁的振子强度，其增大量与铋离子的浓度成正比。在此基础上得出的Ｂｉ－ＹＩＧ的理论谱与实验谱符合得较好。

基于多体摄动理论的CaO电子能带结构及光吸收谱的研究

使用多体摄动理论研究了碱土金属氧化物CaO的电子激发态和光吸收谱.运用GW近似方法来改进DFT对电子交换关联的处理,并计算了CaO电子能带结构.考虑到电子与空穴的相互作用,运用二粒子格林函数理论来求解Bethe-Salpeter方程,计算电子-空穴激发态,并在此基础上计算光吸收谱.计算结果 CaO能隙为7.0 e V,与实验结果 7.1 e V符合很好;并且CaO光吸收谱的理论结果与实验数据也相符合.

不同增感对AgCl乳剂光吸收谱的影响

利用U-3010紫外可见分光光度计检测了不同增感条件下AgCl立方体乳剂的光吸收谱。实验结果表明：化学增感后样片的光吸收谱基本与未增感样片的一致，光谱与化学共同增感后样片的光吸收谱与光谱增感样片类似，在可见光长波波段475～510nm明显增加了AgCl乳剂对光的吸收，化学增感对卤化银的光吸收没有影响，并且与光谱增感之间不存在负面影响。

有机化合物ZnTBP/CA/PhR的非线性光吸收谱测定

测定了新型光功能有机材料锌 四苯并卟吩 巴豆酸 苯氧树脂 (Zn Tetrabenzoporphin CrotonicAcid/PhenoxyResin ,简称ZnTBP/CA/PhR)体系薄膜样品在可见光范围内的吸收谱 ,定点测量了其主要吸收谱带在激光作用下的变化情况 ,实验观察到此种材料显著的饱和及反饱和吸收现象 ,还首次观察到它的再反饱和过程。文章定性分析了变化过程中的物理机制 。

液相外延Co—YIG薄膜的制备及光吸收谱分析

采用液相外延法在钆镓石榴石（ＧＧＧ）基片的（１１１）晶面上生长出了掺Ｃｏ钇铁石榴石薄膜，研究了生长温度和基片转速对掺Ｃｏ量的影响，测量和分析Ｃｏ－ＹＩＧ薄膜样品在０．５—１．８μｍ波长范围的光吸收谱，发现Ｃｏ－ＹＩＧ薄膜中八面体位和四面体位的Ｃｏ３十离子在０．６μｍ和１．３１μｍ波长处的晶场跃迁对光吸收有贡献．

含Ni^(2+)离子晶体的光吸收谱分析

本文利用C_i点群对称下的晶场势表达式,推算出C_i对称下的晶场微扰矩阵元;并利用点荷模型对(NH_4)_2Ni(BeF_4)_2·6H_2O晶体的光谱进行计算。计算结果与实验较为符合。对在解释这类物质的光吸收谱分裂方面所流行的观点,即用简化的O_h点群对称晶场上加上自旋—轨道耦合的观点进行了讨论,提出了不同的看法。

金胶体系光吸收谱的研究

金胶体系光吸收谱的研究方炎，王玉贤，陈金昌（首都师范大学实验中心，化学系，物理系北京１０００３７）ＴｈｅＯｐｔｉｃａｌＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＳｔｕｄｙｏｆＡｕｓｏｌａｎｄＡｄｓｏｒｂａｔｅ－ＡｕＳｏｌ￥ＦａｎｇＹａｎ；ＷａｎｇＹｕｘｉａｎａｎｄＣｈｅｎ...

SiO_3∶M_n^(2+)光吸收谱的研究

本文使用d^5电子组态,C_(4v)双值群不可约表示Hamiltonian矩阵和点电荷模型,对SiO_3:M_n^(2+)光吸收谱进行了计算,理论与实验结果符合很好,表明四角畸变晶场对SiO_3:M_n^(2+)的光吸收谱起主要作用和M_n^(2+)具有高离子性。

氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法

本文报道了光吸收谱的恒定光电流（ＣｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ）测量法，并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的光吸收谱，同时观测了ＳｔａｅｂｌｅｒＷｒｏｎｓｋｉ（ＳＷ）效应中样品吸收系数的变化。

纳米CuCl晶簇室温光吸收谱

实验测定了平均尺寸４．２ｎｍＣｕＣｌ晶簇的室温近紫外和可见光吸收谱线，给出了Ｈｅ－Ｎｅ激光束辐照下的光吸收谱线，在３．１８７ｅＶ处有一个宽度０．

光吸收谱法鉴别碳化硅晶体的多型体结构

用光吸收谱法对3种常见的碳化硅单晶多型结构进行鉴别,结果显示,4H-、6H-及15R-碳化硅多型体结构的光吸收谱的吸收边位置有明显差别,计算表明,这对应于其自身的带隙宽度.同时从吸收谱上还可以看到非故意掺杂引入的载流子引起吸收边的偏移.分析了不同掺杂类型对吸收边的影响.

SiH_n(n=1-4)和Si_2H_n(n=2-6)的结构和光吸收谱第一性原理研究

采用密度泛函理论的杂化密度泛函B3LYP方法和基于含时密度泛函理论的赝势平面波方法,结合含时局域密度近似,计算了SiHn(n=1-4)和Si2H6分子团簇结构和光吸收谱,结果与现有实验值相一致.并从理论上预测了Si2H2-5的团簇结构,同时为实验提供了Si2H2-5光吸收特征谱.对Si-H分子团簇结构研究表明:随着H含量提高,SiHn分子对称性有所提高,Si2Hn分子中原子数目为偶数的对称性较好.对于Si1-2Hn分子团簇,光吸收谱能隙随着n的增大整体而呈增大趋势,且不同分子团簇结构的吸收峰对应不同位置和形状.

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱

研究了MBE GaAs/AlGaAs多量子阱结构的横向光电流谱和光吸收谱。在光电流谱中观测到多种允许和禁戒的激子吸收峰以及一个阱中受主态至n=1电子态的非本征吸收峰。确定出5个空穴子带至2个电子子带的跃迁以及这些子带的间距。采用简单带方势阱模型并取参数Q_c=0.6,m_c=0.0665,m_h=0.45和m_l=0.12的计算结果与实验数据符合得相当好。将光吸收谱与光荧光谱进行了比较。

钇铁石榴石磁光薄膜光吸收谱的理论计算

采用ＤＶ－Ｘα方法计算了（Ｆｅ３＋Ｏ２－６）９－和（Ｆｅ３＋Ｏ２－４）５－的原子簇的电子结构，计算得出：在３．５ｅＶ以下，八面体内只存在晶场跃迁，Ｏ２ｐ→Ｆｅ３ｄ之间的电荷转移跃迁只在四面体内存在．在１２×１０５～２５×１０５ｍ－１波数范围计算了ＹＩＧ薄膜的光吸收谱．理论谱与实验谱符合得较好．

太赫兹场作用下半导体超晶格的动力学过程及光吸收谱研究

基于激子基,采用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下半导体超晶格的子带间动力学过程及光吸收谱。在太赫兹场的驱动下,激子作布洛赫振荡。子带间极化的缓慢变化依赖于太赫兹频率,随着太赫兹频率的增加,子带间极化向下振荡,极化强度降低。以In_(0.52)Al_(0.48)As/InAs和Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs两种超晶格为例进行研究,它们的光吸收谱出现了卫星峰结构,这是由于太赫兹场与万尼尔斯塔克阶梯激子作用的非线性效应产生的。但是就In_(0.52)Al_(0.48)As/InAs与Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs超晶格相比而言,研究发现,n<0的激子态与n=0的激子态耦合作用较强,使得光吸收谱吻合性较好,n=0时的激子态吸收光谱出现红移,n>0的激子态光吸收谱中出现的边带效应不是很明显。