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以高分辨率光子发射光谱分析为基础的亚0．25μm MOSFET碰撞离子化和光子生成动力
1
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第6期70-70,共1页
关键词
高分辨率
光子
发射光谱
亚0.25μmMOSFET
碰撞离子化
光子生成动力
下载PDF
职称材料
题名
以高分辨率光子发射光谱分析为基础的亚0．25μm MOSFET碰撞离子化和光子生成动力
1
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2003年第6期70-70,共1页
关键词
高分辨率
光子
发射光谱
亚0.25μmMOSFET
碰撞离子化
光子生成动力
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
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1
以高分辨率光子发射光谱分析为基础的亚0．25μm MOSFET碰撞离子化和光子生成动力
《电子产品可靠性与环境试验》
2003
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职称材料
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