有机光存储材料及其进展

本文介绍了光盘写入及读出过程的基本原理，并就有机光存储材料性能、作用以及当前的发展趋势进行了讨论。

高温固相反应法制备CaS:Eu^(2+),Sm^(3+)光存储材料及其性能研究

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS :Eu2 + ,Sm3 + 光存储材料。研究了工艺因素 (灼烧温度和灼烧时间 )对样品性能的影响。XRD图谱表明 ,样品在 70 0℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明 ,在紫外光激发后 ,用 980nm半导体激光照射样品 。

光存储材料及其存储机理

对卤化银胶片、全息材料、光谱烧孔材料、电子俘获材料等及其光存储机理进行了综述,介绍了清华大学光盘国家工程研究中心在基于卤化银胶片的多波长光存储等方面所做的一些工作.

光存储材料CaS∶Eu,Sm的正交实验制备及表征

CaS∶Eu,Sm材料在光存储、光探测领域具有广阔应用前景,但制备过程中影响其发光性能的因素较多,彼此又有交互作用,不易获得最佳工艺参数。本文采用高温固相反应法,通过正交实验设计系统研究了灼烧温度、灼烧时间、稀土掺杂浓度、助溶剂用量对CaS:Eu,Sm发光性能影响的主次关系,经正交分析和验证实验确定了最佳工艺参数应为:Eu∶Sm∶Ca mol%=0.3∶0.3∶99.4%,1100℃灼烧0.5h,助熔剂LiF用量为7%。采用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计(耦合1064nm激光激励源)对样品的物相及发光性能进行了测试与表征。

光存储材料的发展

简要地介绍了与磁存储技术对比和竞争中的几种光存储技术(包括只读式、一次写入式、相变式 光存储技术等)的发展概况、结构、性能、记录原理等;还介绍了实现高密度光存储技术的方法。

如何利用真空标度(VRBE)能级图理性设计与探索长余辉发光与光存储材料

简要介绍了无机长余辉发光材料与光存储材料的概念及其起源和研究现状。简述了三种经典商业长余辉发光与光存储材料。基于这三种商业发光材料,分析了理性设计这类材料存在的问题,并介绍如何基于真空标度能级图(Vacuum referred binding energy(VRBE)diagram)来设计长余辉发光与光存储材料的策略。首先,介绍了真空标度能级图的定义和构建其所需要的模型参数和实验光谱数据。在稀土离子掺杂无机化合物真空标度能级图的基础上,阐述二价和三价铋离子的真空标度能级位置。其次,基于YPO4模型材料的真空标度能级图,介绍电子释放模型和空穴释放模型的定义和区别。最后,结合稀土离子和铋离子掺杂REPO4(RE=La,Y,Lu)及NaYGeO_(4)家族化合物的真空标度能级图,简要论述如何设计电子与空穴陷阱中心以及如何调控电子或空穴陷阱的深度。真空标度能级图对讨论载流子的捕获与释放以及理性设计与探索无机长余辉发光与光存储材料具有一定的指导意义。

掺杂Mn的正铝酸钇光存储材料

掺杂稀土的材料的光学性质研究是一个相当活跃的领域,但对于掺杂过渡金属离子的稀土基材料的研究较少。G. B. Loutts等称,当一种材料中掺杂稀土离子时人们感兴趣的是掺杂离子的光学跃迁,而当把一种过渡元素掺入材料中时。

有机光致变色存储材料进展

本文综述了最近二十年来在有机光致变色存储材料方面的进展。

光存储稀土材料的研究进展

光存储稀土材料的研究进展巩雄，张桂兰，关柏鸥，陈文驹（南开大学现代光学研究所天津３０００７１）杨宏秀（天津大学化学系天津３０００７２）随着社会的进步和科技的发展，人类积累的知识量和信息量也在迅速地增大，需要存储、处理和传递的信息量也越来越大。如何迅速...

优良全息光折变存储材料—双掺铌酸锂晶体

我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体 ,通过光折变存储性能的测试 ,在这些晶体中 ,我们发现了三种双掺晶体 :LN :Fe ,Mg ;LN∶Fe ,In ;LN∶Fe,Zn ,它们具有优良的光折变存储性能 ,即高衍射效率 (高达 6 0～ 80 %)、快光折变响应 (比LN∶Fe晶体缩短了一个数量级 )、和强抗光散射能力 (比LN∶Fe提高近两个数量级 )。我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系 ,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值 ,从而提出了最佳写入光强的概念。另外 ,全息光栅热固定研究还显示 ,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质 :快固定时间、高固定效率、长固定寿命等。

用作光存储材料的近红外染料

本文综述了四类用作光存储材料的近红外染料，介绍了它们的化学结构和光学性能，着重介绍了其中的金属络合染料。此外，本文还讨论了一些未来的研究方向。

三维光折变存储材料及其存储器的研究

未来信息系统中对存储容量、数据传输速率及数据的存储可靠性的要求将更高,高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中不可缺少的关键研究领域.利用新原理,采用新技术,启用新材料,研究开发新一代高密度、高速存储技术和系统,已经成为国际信息领域的热点和前沿研究方向.

适应光盘刻录模式的光存储材料成膜应用技术研究

本文主要通过可录类光盘生产及产品设计中不同的光盘刻录模式和不同的成膜工艺间的关系揭示成膜工艺的一般规律。

一类电子俘获型红外可激发材料的制备和光学性质

采用硫化助熔剂法（SFM）合成了具有红外上转换及光存储特性的稀土激活光子学材料CaS：Eu，Sm和CaS：Ce，Sm.利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等测试了合成材料的物相结构和微观形貌，结果表明，合成材料具有单一相，相纯度在98．5％以上；采用CaCO3制备的合成材料晶化程度更好，生成的晶粒更大．利用荧光光谱仪和分光光度计测量了合成材料的光学性质，结果表明，这类电子俘获材料在紫外线或短波长可见光有效激发下，能通过电子俘获实现光存储，并对近红外光有上转换作用．通过对合成材料及有关稀土元素原子结构分析，提出了两种新的稀土激活剂．

卟啉类光电功能材料的研究进展

卟啉及其衍生物是一类具有优良的光电性能的有机半导体材料,引起人们广泛的关注。本文对卟啉类光电材料在模拟生物光合作用中心的光致电荷转移和能量转移,有机太阳能电池,分子光电器件,有机电致发光和光存储等领域的研究进展做一简要介绍。

一种偶氮接枝聚氨酯材料的光致变色性质

采用接枝共聚的方法合成了一种具有偶氮侧基的聚氨酯材料 ,利用旋转涂膜法制备了该材料的薄膜。在室温下测试了该薄膜的吸收光谱和光致变色性质。并且研究了曝光时间与激光功率密度对光致变色性质的影响。发现 ,该材料在波长为 5 32nm激光作用下 ,5 0 0nm处吸收减弱 ,36 0nm处吸收增强。随着曝光时间的延长和激光功率密度的增大 。

高能量激发的发光材料

从不同材料在高能量密度激发下在激发、传递和发光等不同阶段中的效率变化 ,了解各种材料在高密度激发时的能量损失的主要环节 ,分清基质和发光中心的选择原则。为投影电视荧光粉和细管灯粉寻找具有较高效率的发光材料 ,在X线影像板的光激励材料的研制和γ线影像板的可行性分析方面也得到了一些结果。

用于光存储的菁染料-聚合物薄膜

用于光存储的菁染料－聚合物薄膜姚祖光＊顾超陈欣唐福龙顾冬红（华东理工大学精细化工研究所上海２００２３７）（中国科学院上海光学精密机械研究所上海）关键词光存储材料，菁染料，合成，激光光盘１９９７－０４－０２收稿，１９９７－０７－０２修回国家自然科学基金...

光电信息材料

光电信息材料是一种新型信息材料 ,其传输、存储和运算信息的速度远大于电子信息材料 ,在信息技术的发展中起重要作用。本文阐述了光存储材料、光纤通信材料和光电功能材料的用途、研究现状和发展方向。

细菌视紫红质近场光存储特性的研究

结合近场光学显微镜,利用菌紫质M态和基态之间的跃迁,对BR-D96N样品作了静态近场光存储特性的研究。结果表明,近场区域内细菌视紫外质在光激发前后对红光的吸收有较大差别,而且激发后无光照时会缓慢弛豫到激发前的状态,具有光致变色特性和热弛豫特性,可望作为近场光存储材料和微光学信息处理器件材料。