氮等离子体辅助脉冲激光沉积生长p型ZnO∶N薄膜的光学和电学性质(英文)

通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO∶N)薄膜。经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO∶N薄膜呈现p型导电特性。利用X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)和霍尔测量对ZnO∶N薄膜中N的化学状态及其光学和电学性质进行了系列的研究。结果表明:所制得的p型ZnO∶N薄膜为高度补偿半导体;RTA工艺不仅可以激活薄膜中更多的N受主,还可以弱化由薄膜中的施主缺陷造成的自补偿效应。在低温PL光谱中观察到了3种与氮受主相关的光发射,并且通过自由电子-受主(FA)辐射复合光发射确定了薄膜中N受主的离化能(128 meV)。随着退火温度的升高,施主-受主对发射峰呈现了略微的红移现象,这可以通过势能波动模型加以理解。

Rubrene∶MoO3混合薄膜的制备及光学和电学性质

利用热蒸发技术在衬底温度为室温的硅衬底、氧化铟锡衬底和石英衬底上制备了红荧烯与氧化钼的混合薄膜.将两种材料放置于不同的坩埚中,通过控制蒸发源的温度来控制混合比例,制备了不同比例的混合薄膜.通过原子力显微镜对混合薄膜的表面形貌进行了测量,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,薄膜表面的平整度最好;通过X射线衍射分析对混合薄膜的结晶性进行分析,发现不同浓度的混合薄膜均表现出非晶态特征.通过PL谱和吸收光谱研究了不同比例的混合薄膜的光学性质,从光致发光谱可以发现:混合薄膜在近红外区域有显著吸收,说明红荧烯在氧化钼诱导下产生中间能级,形成电荷转移络合物.从吸收谱知:除4:1外,其他比例的混合薄膜具有几乎相同的吸收峰.根据Tauc方程计算了混合薄膜的光学带隙,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,混合薄膜的带隙最窄(-2.23 eV).制备了结构为Al/rubrene:MoO3/ITO的器件,测试了J-V特性,研究了混合薄膜的电学性质.发现当混合比例为4:1和2:1时,混合薄膜与金属电极的接触表现为欧姆接触.本研究显示出红荧烯和氧化钼的混合薄膜在近红外区域有潜在的应用前景,也为红荧烯和氧化钼的混合薄膜在有机光电器件的应用提供了基础.

国内红外与光电子

由集成光电子国家重点联合实验室、香港中文大学、台湾成功大学共同主办的第一届中华光电子研讨会于1994年8月29日～9月2日在香港中文大学举行。参加这次讨论会的代表共有百余人。 本次研讨会就目前光电子发展概况、光电子和高速器件。