ITO薄膜的透射谱解谱

用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130nm左右的ITO薄膜,分别在100、200、300和400℃下退火1h。测量了退火前后几个样品的XRD和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱,结果表明,未退火样品为非晶结构,退火后为多晶结构;退火温度在300℃以下的样品,随着退火温度的升高其n和k值都有明显的降低,退火温度为400℃的样品n和k值却有所增大。利用吸收系数得到了几个样品的直接带隙,其变化范围在3.7eV^3.9eV之间。