安捷伦科技推出业内领先的自动光学检测系统 Medalist SJ50 Series3使检测时间缩短了50％，提高了系统分辨率

2006年9月26日，安捷伦科技公司（NYSE：A）推出安捷伦Medalist SJ50 Series3自动光学检测系统（AOI）。新推出的SJ50 Series3扩大了现有的SJ50产品系列，提供了业内领先的光学性能。它改善了简便易用性，提高了检测速度、吞吐量、元件定位和支持能力，使得制造商能够处理各种新兴制造工艺技术，如01005元件。由于这些改进功能，制造商能够以更好的功能和分辨率跟上日益提高的线路速率。

铕穴状双功能螯合剂的合成及其光学性能

以2,6-二甲基-4-羟基吡啶为原料,经取代和水解反应合成了稀土穴状双功能螯合剂2-【2,6-{N,N',N,N'-[二(2,2'-联吡啶-6,6'-二甲基)]二氨甲基}-吡啶-4-氧基】乙酸-Eu^(3+),其结构和性能经荧光光谱、1H NMR、IR和MS(ESI)表征。结果表明:螯合物的激发光谱范围为258～356 nm,最佳激发波长为331 nm;其荧光光谱中铕的特征峰位于581 nm(5D_0→7F_0)、594 nm(5D_0→7F_1)、616 nm(5D_0→7F_2),荧光寿命为512μs。

材料光学性能测试与设备

TB96 2002053850Z-scan的理论及技术研究进展=Review on theprogress in Z-scan theory and technology[刊,中]/黄晓琴,崔一平(东南大学电子工程系.江苏,南京(210096))//激光杂志.—2001,22(6).—1-4在介绍传统Z-scan的基础上介绍双色光Z-scan(Two color Z-scan)、双光束时间分辨率Z-scan(Time-

(Gd_(0.99-x)Y_(x)Ce_(0.01))_(2)Si_(2)O_(7)晶体的生长及发光特性

通过光学浮区法制备了铈掺杂焦硅酸钇钆(Gd_(0.99-x)Y_(x)Ce_(0.01))_(2)Si_(2)O_(7)(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)(简写为GYPS∶Ce)闪烁晶体,并用X射线衍射(XRD)进行了物相识别,发现其属于正交晶系Pna21。通过真空紫外(VUV)激发和发射光谱、光致发光(PL)衰减曲线、X射线激发发射(XEL)光谱、γ射线脉冲高度谱等表征了它们的光致发光特性和闪烁特性。VUV和XEL光谱的发射峰均位于360 nm左右,对应于5d→4f跃迁。样品的PL衰减时间在29.1~32.9 ns之间;闪烁衰减时间快分量约为28~68 ns,慢分量约为256~583 ns。晶体存在Gd^(3+)→Ce^(3+)的能量传递行为。

Si衬底电沉积制备ZnO及其特性研究

采用不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,用阴极电沉积法在Si衬底上制备出了一系列的ZnO薄膜。实验发现ZnCl2的浓度对ZnO薄膜的结构和光学性质有着重要的影响。薄膜的X射线衍射(XRD)表明ZnCl2浓度较低时,ZnO的特征峰被衬底Si的衍射峰掩盖而较弱,当ZnCl2浓度为0.05mol/L时ZnO的特征峰非常明显。随着ZnCl2浓度的减小,薄膜的光致发光的发射谱变好,当ZnCl2溶液浓度为0.01mol/L时光学性能最好,此时出现两个峰,分别对应紫峰和绿峰。同时研究了沉积时间和退火对薄膜的光学性能的影响。

面向脉冲星导航的聚焦型X射线探测器测试标定方法研究

通过脉冲星辐射信号特征研究和空间观测需求分析,提出了一种面向导航应用的X射线探测器测试方法.首先推导了X射线光子欠探测概率公式,分析了不同星源流量及不同探测器时间分辨率下对光子探测能力的影响.通过数值模拟方法建立了脉冲到达时间与脉冲轮廓相似度的关系.处理了我国硬X射线调制望远镜的Crab脉冲星观测数据,研究了不同能段脉冲轮廓差异.其次,系统地研究了面向导航应用的X射线探测器测试及处理方法,并利用地面测试系统完成了一款自主研发的聚焦型X射线探测器测试工作.通过数据分析得到,聚焦型探测器本底噪声为3.63×10^-5ph/(cm^2·s^-1),工作能区为0.2~22.7keV,时间分辨率为4.17μs,空间响应约为5′,能量非线性为0.52%,能量分辨率优于200eV@5.7keV,典型探测效率为39.18%@4.51keV.聚焦型X射线探测器在弱脉冲信号及强背景噪声下,均能还原出Crab脉冲星脉冲轮廓,在2 400s内能够探测到辐射流量弱于背景噪声10倍的脉冲信号.结果表明,该款聚焦型探测器性能优秀,能够满足导航脉冲星(如PSR B1509)的空间观测需求,也验证了测试方法的可行性.

短磁聚焦时间展宽分幅变像管成像性能及像差分析

分幅变像管是惯性约束聚变诊断实验中重要的二维空间分辨诊断设备。为研究短磁聚焦时间展宽分幅变像管的成像性能,通过计算像管中电子运动轨迹和成像分布来模拟空间分辨率和成像面,并采用像差理论展开分析。结果表明,短磁聚焦成像系统的球差和场曲是造成像管空间分辨性能下降的主要因素,单/双透镜像管球差系数分别为0.229和0.07,场曲分别为0.021和0.009。球差系数和场曲越小,像管的成像性能越好。

膜系设计

TB43/O482.31 95010475非晶态硒化镉薄膜的时间分辨光电导和光致发光研究[刊,中]/郭享群,叶天水(华侨大学应用物理系)//科学通报.—1994,39(8).—693—695非晶态硒化镉材料的无序网络结构只具有短程有序性。缺乏长程有序性,其能带结构不同于晶态硒化镉,所以a-CdSe薄膜具有独特的电学和光学性质,成为一种新型光电功能材料,在快速光电探测器和快速光电子开关等方面有广阔的应用前景。

ZnO纳米棒的湿化学法制备及其表面复合(英文)

采用CBD两步生长法和热蒸发法在Si衬底上生长ZnO纳米棒.研究发现,该方法对于ZnO纳米棒阵列的近带边复合发光有效衰减时间有很大影响.采用CBD方法生长的ZnO纳米棒的衰减曲线存在两个衰减指数,而通过热蒸发法生长的ZnO纳米棒只有一个衰减指数,实验结果显示CBD法生长的ZnO纳米棒其中较快的衰减指数与表面复合发光有关,慢的衰减指数对应体材料的衰减.另外,随着热处理温度从500℃到700℃,其表面复合速率急剧减小.