光学曝光与X射线曝光的竞赛前景

微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。

国外光学分步曝光技术的新进展

本文从光源波长、照明系统和工艺控制方面介绍了国外光学分步曝光技术的最新进展。着重叙述了世界几大著名光刻设备公司在其研究领域的设计更新和实施效果，展望了光学分步曝光技术在甚大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制造中的潜力。

曝光台校正透镜修正效果的检测

检验曝光台校正透镜的修正效果 ,通常是通过在生产线上实际制管来进行。这种方法费时费力 ,并且存在各制作工序误差的积累。本文研制了一种装置 ,通过检测透镜修正前后光落点在荧光屏内表面的落点位移 ,直接检测修正效果 ,并且测量精度能达到 3～ 5 μm。

波前工程与光学超分辨

对光学曝光技术的主要进展、波前工程概念和实现光学超分辨的基本途径等进行了论述。

光刻机曝光技术演进

1 引言目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件,其增长过程遵从一个我们称之为摩尔定律的规律,即集成度每3年提高4倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约15%的速度增长,而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。

光学微细加工技术现状及发展前景

光学曝光技术在八十年代得到了飞速发展,它已成为半导体微细加工极为重要的手段。光学微细加工技术的大发展,促进了半导体集成电路制造技术的发展。 回顾半导体光学微细加工技术发展现状,探讨其发展前景,对进一步发展我国的半导体集成电路工业将是十分有益的。

自适应光学

O43 2000042996低阶模式校正自适应光学系统的补偿效果分析=Analysis of compensation effectiveness for adaptive optical systems used as low-ordermodes correction[刊,中]/饶长辉,姜文汉,凌宁（中科院光电技术研究所.四川,成都（610209））//光学学报.-1999,19（12）.-1615-1623引入规格化的相位谱,推导了大气湍流相位结构函数、低阶模式校正后的残余相位结构函数以及长曝光光学传递函数。分别给出了在各种不同大气湍流强度ρ0、

高精度Ω型辐射结构的微纳加工

微波辐射结构的均匀性以及精度是影响金刚石固态自旋量子态调控实验灵敏度的直接因素,因此利用微纳工艺制备出高精度、均匀性良好的微波辐射结构显得尤为重要。文章提出一种新的微纳加工流程,基于CST MWS软件Ω槽线模型仿真,通过光学曝光和磁控溅射微纳工艺方法完成具有高精度图形尺寸和致密均匀金属层辐射结构的实物制备。该辐射结构在量子调控Rabi振荡实验得到验证。实验中在输入约为1 W电流功率的条件下,在2.8 GHz频点处出现频率约为14.2 MHz的Rabi振荡现象,辐射结构沿着NV轴切面投影方向产生大小约7.17×10^(-4)T的有效交变磁场。该文提出的微纳工艺流程相比于传统的电化学镀铜方法,能较大幅度地缩减步骤流程,有效地提升辐射结构的图形精度和均匀性,更加契合量子精密测量实验需求。

亚微米i线和g线投影光刻物镜研制

本文介绍了分步重复投影光刻机的i线和g线投影光刻物镜主要技术指标、设计要点、研制中解决的关键单元技术和设计试制结果。结果表明数值孔径NA＝0．42i线和NA＝0．45g线、视场15×15mm以及畸变＜±0．1μm的五倍缩小投影光刻物镜研制成功。

相移掩模的制作

本文阐述相移掩模（PSM）技术研究中，常用的几种主要相移掩模制作方法，重点介绍了无铬PSM、Levenson交替型PSM、边缘PSM、亚分辨辅助PSM以及激光直写制作PSM的方法。

0.4～0.25μm时代光刻技术

1前言 近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

谁会牵手乐凯?

乐凯要向数码进军,只能借助外力,走跟外资联合的道路,那么,乐凯的合资会选择柯达还是富士呢? 2003年7月11日,针对乐凯10年合资的历程,东方高圣20多名分析师还专门讨论了这个案例。他们分析的结果是:乐凯“嫁给”柯达,凶多吉少;“迎娶”富士,还算“般配”。

集成电路设备的新挑战

一、概述集成电路按照摩尔定律已经发展了30多年,从光学曝光的技术来看,集成电路似乎已经到了极限。但是技术的一再进步使人们又充满信心,不仅0.1μm已经突破,还要发展到0.

低阶模式校正自适应光学系统的非等晕限制

分析了非科尔莫戈罗夫湍流情况下 ,自适应光学系统低阶模式校正时的非等晕误差、泽尼克系数角相关函数、残余相位结构函数以及长曝光光学传递函数 ,并定义了一个新变量模式校正因子 ,用来有效评价目标非等晕误差对低阶模式校正自适应光学系统补偿效果的影响。此外还给出了光波水平大气传输时模式校正因子以及低阶模式校正系统长曝光光学传递函数的数值计算结果。