非线性光学极化率密度泛函理论计算的基组效应

由于分子的非线性光学性质与分子外层电子行为及激发性质密切相关 ,扩散函数对分子的非线性光学极化率计算非常重要 .在ADF程序中的DZP基组基础上缀加扩散函数 ,构造出我们称之为DZP +df的新基组 .通过对 5个模型分子的含频二阶非线性光学极化率的密度泛函理论计算 ,表明新基组可以得出较DZP基组更为准确可靠的结果 ,同时比较ADF程序内置带有扩散函数的大基组 ,计算量大为减少 .

施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)

利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级 。

非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)

本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较大的二次谐波极化率与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 。

量子盘中的三阶非线性光学极化率

利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率 ,导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式 ,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明 ,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且 ,选取适当的参量 ,可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。

花菁染料聚乙烯醇延伸膜的三阶非线性光学极化率的各向异性

采用飞秒共振简并四波混频技术,检测了花菁染料的聚乙烯醇延伸膜平行和垂直于延伸方向的三阶非线性光学极化率.结果表明:单向延伸的花菁染料的聚乙烯醇膜具有较高的三阶非线性光学极化率的各向异性.

尿素分子团簇线性和一阶非线性光学极化率的理论计算

检验分子晶体非线性光学极化率的可加性，对于确认有向气体模型(Oriented-Gas Model) 具有重要的科学意义，对探索新型实用的分子非线性光学材料也有实际的意义。本文对尿素晶体中分子簇非线性光学极化率的可加性做了详尽的理论研究。首次做到了尿素分子最近邻排布团簇的非线性光学极化率的从头算，从而扩展了前人的工作。研究结果有效地确认了有向气体模型。同时，我们还提出了壳层结构模型 (Shell-Structure Model)，用以解决有向气体模型中的缺陷，可实现更为有效可靠地计算晶体宏观非线性光学系数。

玻璃光学碱度与三阶非线性光学极化率

介绍了玻璃光学碱度的概念,讨论了玻璃光学碱度与三阶非线性光学极化率之间的变化规律,分析了二元硼酸盐、硅酸盐、锗酸盐、碲酸盐、钛酸盐玻璃系统中光学碱度与三阶非线性光学极化率之间变化的定性趋势和定量方程,总结了玻璃光学碱度的本质及其影响,对进一步研究不同玻璃系统中光学碱度与三阶非线性光学极化率之间定量关系的趋势进行了展望。

非线性光学极化率的非简谐振子模型

构造介质的非简谐振子的非线性方程 ,利用组合因子代替非线性项进行多次迭代 。

离子注入对聚对苯乙炔衍生物三阶非线性光学极化率的影响

利用能量为25keV，剂量为3．8×10^15-9．6×10^16ions／cm^2的氮正离子（N^＋）对聚（2，5-二己氧基）对苯乙炔（PDHOPV）薄膜进行注入改性研究。紫外-可见吸收光谱显示，注入离子在PDHOPV薄膜内部引入杂质能级，破坏分子的共轭结构，随着注入剂量增加，吸收边逐渐向长波方向移动，且分子激发态和基态间的光学禁带宽度由2．07eV减小至1．65eV。采用简并四波混频（DFWM）技术研究了离子注入对PDHOPV薄膜三阶非线性光学极化率的性能。结果表明，未注入薄膜的三阶非线性光学极化率（X^（3））为9．61×10^-10esu，随着注入剂量增加，X^（3）逐渐增大，当注入剂量达到3．8×10^16ions／cm^2。时，X^（3）值增加到最大值为8.44×10^-9esu。

对人工合成金刚石的三阶非线性光学极化率的研究

金刚石是一种有着许多优异的物理、化学性质的宽禁带半导体材料,因而它被视作适宜制作光电子器件的材料。基于克尔效应理论,我们设计了一种简便易行的测量合成金刚石的三阶非线性光学极化率的方法。在实验中,我们搭建了横向电光调制系统,以人工合成的Ⅰ型金刚石为样品,测量出在光波长为650nm时合成金刚石单晶的三阶非线性光学极化率张量中的元素χ1212(2)=2.17×10-23m2V2。

有机分子结构对分子二阶光学极化率的影响

文章对具有电子施主和电子受主的π共轭有机分子的分子二阶非线性光学极化率β进行计算，计算中采用ＨＭＯ方法计算分子能级，用多能级模型计算分子二阶非线性光学极化率。从计算结果得到，分子中电子施主和电子受主基团的推拉电子能力越强，对β值的贡献越大；分子中π共扼链长对β的影响比较复杂，随着链长的增加，β值的总趋势是增大，但β值既存在大起伏又存在小起伏．

聚乙炔基态的线性和非线性光学极化率

基于一维紧束缚Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型,研究了基态聚乙炔的电子特征及其线性和非线性光学极化率。不借助任何外推手段,直接观察到线性极化率和三阶非线性极化率的饱和现象;另据局域原子电荷微分法,每单位元胞对极化率的贡献一部分来自链端极化电荷的扩展,另一部分来自元胞内电荷的极化。

参考倍频法测量立方氮化硼晶体的二阶非线性光学极化率

立方氮化硼晶体是一种有着众多优异物理性质的光学材料,由于其晶体结构为闪锌矿结构,可产生二阶非线性光学效应。该文依据立方氮化硼晶体的外形特征,设计实验方案,采用参考倍频法测量了立方氮化硼的二阶非线性光学极化率,为立方氮化硼的二阶非线性光学效应的应用奠定了基础。

硝基苯氨分子的一阶超极化率的色散关系

在杂化密度泛函理论的水平上研究了硝基苯氨 ( para nitroaniline pNA)分子的几何结构 ,并采用含时密度泛函理论 (TimeDependentDensityFunctionalTheory TDDFT)研究了 pNA分子的非线性光学性质。利用两态模型计算了pNA分子的一阶非线性光学超极化率 βz,并讨论了基矢效应和 βz 的色散关系。研究结果表明 ,对于该类分子 ,利用 6 - 31+ +G 基函数组可以得到收敛的结果。对于处于汽相的 pNA分子 ,计算得到的结果和最近的实验结果符合得很好。对于在较低的频率范围内 ,两态模型给出的 βz 的色散关系和实验结果符合得较好 ;在较高的频率范围内 。

三种金属酞菁配合物的非线性光学性质研究

用YAG皮秒激光器 ,利用“Z scan”方法测量了三种金属钛菁配合物苯硫基钛菁锌 (C56H3 2 N8S4Zn) ,苯硫基铝钛菁 (C56H3 2 AlClN8S4) ,烷氧基铝钛菁 (C56H3 2 AlClN8O4)二甲基甲酰胺 (DMF)溶液的非线性折射率 ,并计算了三阶非线性光学极化率Χ(3 ) 。比较发现 ,不同中心离子 ,不同取代基的金属钛菁配合物的三阶非线性系数不同。文章对引起三阶非线性光学效应的机制做了初步的探讨和分析 。

C_(50)富勒烯及其二聚物C_(100)、C_(101)的光学性质

运用B3LYP方法在6-31G^＊基组水平上对C50富勒烯以及它的两个不同二聚物C100,C101的几何构型进行了全优化．在优化所得构型的基础上，采用TDB3LYP方法在3-21G^＊基组水平上对其激发态性质、电子吸收光谱进行了研究，根据计算得到的态态间跃迁偶极矩和跃迁能等数据，结合使用态求和公式进一步计算得到了它们不同光学过程中的三阶非线性极化率．结果表明，当C50富勒烯二聚以后，其电子吸收光谱的最大波长吸收蜂发生了明显的红移，三阶非线性极化率有了较大的提高．其中，【5，5】-【5，5】哑铃型二聚物C101有着比【2＋2】闭环型二聚物C100更大的三阶非线性极化率．

带电荷C_(60)分子的电子结构及其非线性光学性质

应用Su Schrieffer Heeget(SSH)模型研究带电荷C60分子的结构和电子结构.分析所带电荷量对结构的影响,计算带不同电荷数时C60分子的电子结构,进一步对三阶非线性光学极化率进行了研究.

非线性光学效应与应用

O437 950317224-戊基-4’-氰基联苯液晶的分子二阶非线性光学极化率=The measurement method of the mole—cular hyperpolarizability for 4—pentyl—4’—cyanodiphenyl liquid crystal[刊,中]/李加,邵喜斌,王敬伯,赵福潭(中科院长春物理研究所.吉林,

非线性光学理论

O437 96010280四能级稳态雪崩上转换过程的计算分析=Analysisof the equilibrium state of four—levelavalanche upconversion system[刊,中]/毛育红,陈晓波,张光寅(南开大学物理系.天津(300071)),李美仙(南开大学电教中心.天津(300071))

光学薄膜参数、测试及设备

O484.5 95021095Y—Ba—Cu—O超导薄膜在其临界温度附近的克尔效应观测[会,中]/钱小陵(首都师范大学物理系),王国文(北京大学物理系)∥第6届全国基础光学学术报告会.—大连,94.6利用偏振面微小旋转的测量技术,对氧化锆和钛酸锶基底上的Y—Ba—Cu—O薄膜进行反复测量,垂直薄膜的磁场加高到大约0.5T(5000高斯)