一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真

目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。

先导光刻中的光学邻近效应修正

按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行"计算光刻"),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到"计算光刻"模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败。因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。

考虑光学邻近效应的详细布线算法(英文)

提出了一种考虑光学邻近效应的详细布线算法.该算法在布线过程中,充分考虑了线网走线相对位置及布线线形对其光学邻近效应的影响,通过相应的光刻模拟模型定义了用于估计光学邻近效应(optical proxi mityeffect,OPE)的OPE费用函数,并采用OPE费用阈值控制Steiner树的生长方向和走线路径的选择,同时兼顾线网长度.为提高算法效率,避免布线过程中反复调用光学模拟程序带来的算法运行速度慢的问题,对可能的走线模式建立了计算OPE费用所需的光强查找表格,使算法的运行速度大大提高.在实际的工业用例上的实验结果表明,本文所提出的详细布线算法使布线结果中的OPE问题得到很大程度的改善,有利于后处理过程中的光学邻近效应校正技术的运用,算法的运行时间是可以接受的.

基于光场分布的光学邻近效应校正

本文基于改善光场分布的考虑，在掩模上添加了适当的散射条和抗散射条，成功地改善了像面的光场分布，达到了光学邻近效应校正的目的。

一类考虑光学邻近效应的片内互连寄生电容提取方法

大规模集成电路(ULSI)的高速发展使光刻中曝光线条的特征尺寸日益接近曝光系统的理论分辨极限,光学邻近效应可导致实际光刻版图的较大畸变.文中基于BEM和神经网络技术,通过定义等效长度概念,建立了一个计算寄生参数的小型专家系统NNCE,以实现对光刻后实际版图的寄生电容参数的有效提取.一些简单环境中的矩形互连实例被用来比较光刻前后寄生参数的变化,数值模拟表明该方法具有良好的精度.

光学邻近效应的产生机理分析

基于部分相干成像理论 ,考虑了投影曝光系统成像的非线性滤波特点 ,分析了投影光刻中的光学邻近效应 (OPE)产生的机理 ,模拟了掩模上线条的线宽、线间距的变化对光刻成像质量的影响。

偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应修正

提出了一种新型的与制程窗口紧密相关,被称为偏离最佳条件的基于模型的光学邻近效应模型,该模型包含制程参数变化的信息。该模型引导得到的修正的图形在工艺参数变化时也会表现得非常稳定,而且相对标准模型而言,缩短了建立模型的周期,节省了光罩出版的时间。

光学邻近效应的计算机模拟研究

本文以部分相干光的衍射理论为基础，分析了掩模结构参量对衍射场分布的影响，讨论了光学邻近效应产生的物理机理，确定了其有效作用范围，为研究光学邻近效应校正打下了基础。

光学邻近效应修正技术发展综述及思考

光学邻近修正技术是纳米级晶圆制造的核心,随着晶圆制造工艺上的逻辑器件技术节点的不断缩小,导致光学邻近修正越来越困难。本文对近年来晶圆制造的光学邻近效应技术的发展进行综述,并对逻辑器件技术节点到20nm以下情况下的先进光刻工艺进行深入思考,提出应强化光学邻近修正模型研发在先进光刻工艺研发中的核心地位,加强光学邻近修正技术的研发。

光学邻近效应校正的新方法

基于波前加工的观点，从调整像面光强分布出发，提出一种在掩模上添加亚分辨的亮暗衬线校正光学邻近效应的新方法，并详细讨论了添加这种亮暗衬线的规则及所获得的结果。

光学邻近效应矫正(OPC)技术及其应用

随着集成电路设计和制造进入超深亚微米(VDSM)阶段,特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长,因此光刻过程中,由于光的衍射和干涉现象,实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差,光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率.为尽量消除这种误差,一种有效的方法是光学邻近效应矫正(OPC)方法.目前由于OPC矫正处理时间过长,产生的文件大小呈指数级增长,使掩膜版的制造成本成倍地增加.文中首先针对OPC矫正技术进行了深入研究,提出了具有图形分类预处理功能的自适应OPC矫正技术,将芯片图形按其对性能的影响分为关键图形与一般图形,对两类图形采用不同的容差,提高了OPC处理效率.其次,提出并实现了图形分段分类的基于模型的OPC矫正算法,在保证矫正精度的同时提高了矫正的效率.提出了具有通用性、简洁性和全面性的OPC矫正规则,在此基础上实现了规则库的自动建立和规则库的查找与应用,实现了效率高、扩展性强的基于规则的掩膜版矫正算法.算法对规则数据进行有效地描述、存储和处理,提高了光刻矫正技术实际应用效率.第三,设计实现了高效、高精度的光学邻近效应矫正系统MR-OPC,系统综合应用了基于规则的OPC矫正技术和基于模型的OPC矫正技术,很好地解决了矫正精度和矫正效率之间的矛盾,取得了最佳的矫正优化结果.

光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。

掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。

优化的基于模型的光学邻近矫正算法

提出了一种新的优化的基于模型的光学邻近矫正算法,该算法充分考虑了图形内部及图形之间的光学邻近影响,实现了线段切割和移动步长的自适应性,提高了系统的矫正精度及矫正速度,实验结果表明该算法是有效的.

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法 ,设计并利用电子束直写系统加工了用于实现邻近效应校正的灰阶编码掩模 ,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正 ,获得了满意的实验结果 ,在可加工 0 7微米的I线曝光装置上获得了经邻近效应校正的 0 5微米光刻线条。

下一代光学掩模制造技术

尽管其它光刻技术在不断快速发展，然而在０．１３μｍ及０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高，当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述，并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。

光学光刻的波前工程

介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。

深亚微米光学光刻工艺技术

光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。

光学光刻技术向纳米制造挺进

概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。