相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。

考虑光学邻近效应的详细布线算法(英文)

提出了一种考虑光学邻近效应的详细布线算法.该算法在布线过程中,充分考虑了线网走线相对位置及布线线形对其光学邻近效应的影响,通过相应的光刻模拟模型定义了用于估计光学邻近效应(optical proxi mityeffect,OPE)的OPE费用函数,并采用OPE费用阈值控制Steiner树的生长方向和走线路径的选择,同时兼顾线网长度.为提高算法效率,避免布线过程中反复调用光学模拟程序带来的算法运行速度慢的问题,对可能的走线模式建立了计算OPE费用所需的光强查找表格,使算法的运行速度大大提高.在实际的工业用例上的实验结果表明,本文所提出的详细布线算法使布线结果中的OPE问题得到很大程度的改善,有利于后处理过程中的光学邻近效应校正技术的运用,算法的运行时间是可以接受的.

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法 ,设计并利用电子束直写系统加工了用于实现邻近效应校正的灰阶编码掩模 ,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正 ,获得了满意的实验结果 ,在可加工 0 7微米的I线曝光装置上获得了经邻近效应校正的 0 5微米光刻线条。

一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真

目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。

光学光刻的波前工程

介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。

光学光刻技术向纳米制造挺进

概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。

光刻、OPC与DFM

讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。

掩模曝光剂量的精细控制工艺设计

本文从光学邻近效应的机理出发,基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。

微细加工技术与设备

TN305.7 2001010649用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究=Finecorrection of optical proximity effect by usinggray-tone coding mask[刊,中]/杜惊雷,粟敬钦,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),罗克俭,崔铮(内江教育学院.内江(6141002))∥光学学报.-2000,20(4).-518-524提出了用灰阶编码的二元掩模代替灰阶掩模实现邻近效应精细校正的新方法,并阐述了新方法的特点。讨论了灰阶编码与灰阶掩模的等效关系,给出了灰阶编码掩模实现光学邻近效应校正的模拟结果。

微细加工技术与设备

TN305.2 99042750液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶=Nano—crystallinecarbon nitrides prepared by laser ablatingsolid target in liquid[刊,中]/刘秋香,王金斌,杨国伟(湘潭大学现代物理研究所.湖南,湘潭(411105))//微细加工技术.—1998,(2).

极紫外光刻中的边缘放置误差控制

极紫外(EUV)光刻是7 nm及以下技术节点芯片大规模量产的关键技术。随着技术节点的减小、工艺复杂性的增加,芯片的良率面临着巨大挑战。边缘放置误差(EPE)是量化多重曝光技术过程中制造图案保真度的最重要指标。EPE控制已成为多重曝光和EUV融合光刻时代最大的挑战之一。EPE是关键尺寸(CD)误差和套刻误差的结合。在EUV光刻中,光学邻近效应和随机效应是引起光刻误差的重要因素。光学邻近效应校正(OPC)可以使EPE最小化。对于最先进的技术节点,EPE通常由随机效应主导,因此需要对EPE进行建模,尤其是需要对随机效应进行严格的建模,以分析影响EPE的关键参数。选择不同的测量手段对关键参数进行测量并优化EPE是提高芯片良率的重要途径。本文首先综述了EPE在EUV光刻中的重要作用,然后讨论了OPC和随机效应、EPE模型及涉及的关键参数,并介绍了关键参数的测量方法,最后总结和展望了与EPE相关的技术。

芯片制造语境下的计算光刻技术

计算光刻技术是提高分辨率的重要手段,是连接芯片设计与制造的桥梁。首先,介绍了计算光刻技术的起源即第1代光学邻近效应校正(OPC)技术,基于规则的OPC;随后,以14 nm芯片制造过程为例介绍了现代芯片制造采用的各种计算光刻技术,包括基于模型的第2代OPC技术、光源掩模联合优化技术、二次成像图形拆分技术。最后,介绍了计算光刻的发展趋势,包括反向光刻技术、曲线掩模、人工智能应用及协同优化。综合芯片设计、制造、检测的集成优化将是未来计算光刻发展的主要方向。

光刻技术《激光与光电子学进展》

光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,其分辨率决定了集成电路芯片的集成度。为了追求更高的分辨率,光刻机曝光波长已从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到当前最短的13.5 nm极紫外波段。投影物镜的数值孔径则从初期的0.28增大到干式光刻机的0.93,再到浸液式光刻机的1.35。通过组合使用光学邻近效应校正、光源掩模联合优化、多重图形等分辨率增强技术.