相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。

基于光场分布的光学邻近效应校正

本文基于改善光场分布的考虑，在掩模上添加了适当的散射条和抗散射条，成功地改善了像面的光场分布，达到了光学邻近效应校正的目的。

光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。

先导光刻中的光学邻近效应修正

按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行"计算光刻"),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到"计算光刻"模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败。因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。

亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想 ,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法 ,分析了其校正机理 ,采用这种新方法 ,在可加工 0 .7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了 0 .5μm的光刻图形 ,取得了较好的实验结果 ,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。

考虑光学邻近效应的详细布线算法(英文)

提出了一种考虑光学邻近效应的详细布线算法.该算法在布线过程中,充分考虑了线网走线相对位置及布线线形对其光学邻近效应的影响,通过相应的光刻模拟模型定义了用于估计光学邻近效应(optical proxi mityeffect,OPE)的OPE费用函数,并采用OPE费用阈值控制Steiner树的生长方向和走线路径的选择,同时兼顾线网长度.为提高算法效率,避免布线过程中反复调用光学模拟程序带来的算法运行速度慢的问题,对可能的走线模式建立了计算OPE费用所需的光强查找表格,使算法的运行速度大大提高.在实际的工业用例上的实验结果表明,本文所提出的详细布线算法使布线结果中的OPE问题得到很大程度的改善,有利于后处理过程中的光学邻近效应校正技术的运用,算法的运行时间是可以接受的.

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法 ,设计并利用电子束直写系统加工了用于实现邻近效应校正的灰阶编码掩模 ,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正 ,获得了满意的实验结果 ,在可加工 0 7微米的I线曝光装置上获得了经邻近效应校正的 0 5微米光刻线条。

一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真

目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。

光学邻近效应修正技术发展综述及思考

光学邻近修正技术是纳米级晶圆制造的核心,随着晶圆制造工艺上的逻辑器件技术节点的不断缩小,导致光学邻近修正越来越困难。本文对近年来晶圆制造的光学邻近效应技术的发展进行综述,并对逻辑器件技术节点到20nm以下情况下的先进光刻工艺进行深入思考,提出应强化光学邻近修正模型研发在先进光刻工艺研发中的核心地位,加强光学邻近修正技术的研发。

掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。

光学邻近效应校正的新方法

基于波前加工的观点，从调整像面光强分布出发，提出一种在掩模上添加亚分辨的亮暗衬线校正光学邻近效应的新方法，并详细讨论了添加这种亮暗衬线的规则及所获得的结果。

光刻、OPC与DFM

讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。

光学光刻的波前工程

介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。

光学光刻技术向纳米制造挺进

概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。

激光直写邻近效应的校正

邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素，它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的原因，指出它和电子束直写及投影光刻的区别，提出了一种简便有效的邻近校正方法。实验表明，通过光学邻近校正（ＯＰＣ），利用微米级激光直写系统，制作出了０．

高分一号卫星多光谱遥感图像邻近效应校正研究

在遥感观测中,目标辐射信息中包含了背景辐射经过大气散射后进入传感器视场的部分,从而使地物边缘模糊,对比度降低,即邻近效应。要从遥感图像中准确获取目标信息,邻近效应校正是必不可少的环节。根据大气辐射传输模型,利用MODIS气溶胶产品并引入新的邻近效应校正系数对高分一号卫星多光谱遥感影像进行邻近效应校正。结果表明,经过校正的遥感影像对比度增强,清晰度增加,地物信息更丰富。

一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法

在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点 .实验表明 ,这是一种快速高效的轮廓提取方案 ,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量 .

亚分辨率辅助图形对28纳米密集线条光刻成像的影响

亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution-Assist-Feature,SRAF)是光刻工艺图形增强技术(Resolution Enhancement Technology,RET)中广泛应用的一种方法。本文设计实验在密集图形(线宽/距离比约1:1)外侧放置不同的SRAF,研究了SRAF对于密集图形内部线条成像的影响,通过实验数据总结和理论分析,提出了最佳的SRAF放置位置。此外,本文还设计了一种与设计图形线宽一样大小的SRAF,并比较了其与传统尺寸SRAF对密集图形内侧线条成像的影响。

掩模曝光剂量的精细控制工艺设计

本文从光学邻近效应的机理出发,基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。

高分二号全色卫星影像大气校正

利用大气辐射传输模型和指数衰减点扩展函数,发展了一套适用于亚米级分辨率的全色卫星影像的大气校正方法,该方法充分考虑了大气参数(气溶胶、水汽、臭氧及其他吸收气体等参数)、空间分辨率、背景像元与目标像元的空间距离等对邻近效应的影响。结果表明,本文建立的大气校正方法能够有效去除大气及周围环境对卫星入瞳信号的影响,充分解决全色卫星影像中的邻近效应问题,全面提升了卫星影像的质量(清晰度至少提高了155%,对比度至少提高了115%,边缘能量至少提高了247%,细节能量至少提高了204%,调制传递函数至少增大了169%)。