光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展，讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法，并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。

用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型

提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(opticalproximitycorrection,OPC)仿真工具.

基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法

在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获得稳定的配方调试时间,且与参考配方结果相比,具有较好的光学邻近校正精度,可使边位置误差平均降低5%。

灰阶掩模实现光学邻近校正及计算模拟研究

从光学邻近效应产生机理出发，提出用带灰阶衬线的灰阶掩模实现光学邻近效应精细校正的新方法，并指出掩模图形振幅信息的优化，即合理分布掩模图形的空间频谱，可以改善空间像的光强分布并获得高质量的光刻图样。计算表明，校正后的成像图样与理想像的偏差小于０．９％。

一种新的带有线段与控制点映射模型的光学邻近校正技术

在基于光刻模型的光学邻近校正(MB-OPC)中,线段与控制点的映射关系是影响校正结果的一个重要因素。现有的线段与控制点的映射关系均是基于规则的,或者是精度较差的一对一映射关系,或者是计算速度较慢的全对一映射关系。提出了一种新的带有线段与控制点映射模型的光学邻近校正技术,其映射模型是根据光强梯度推导出的特征区域,线段与控制点的映射关系可以是一对一的,也可以是多对一的,且该映射关系在校正过程中对所有的控制点均适用,无需重复计算。实验结果表明,带有映射模型的MB-OPC结果的边放置误差(EPE)的方差改善显著,且运行时间无显著增加。

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法。

基于模型的光学校正系统的设计与实现

为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用光刻模拟器直接对输入待校正的掩模图形进行优化.最后通过对掩模版图的验证,保证校正后的掩模图形满足成像图形的精度要求.应用实例证明,该系统准确实现了版图的精确设计与校正.

亮暗衬线法校正邻近效应及其实验研究

光学光刻中的邻近效应校正是实现亚微米光刻的必要手段。作者基于波前加工的思想 ,提出亚分辨亮暗衬线结合辅助线条实现邻近效应校正的方法 ,分析了其校正机理 ,采用这种新方法 ,在可加工 0 .7μm光刻图形的I线投影曝光装置上加工出了 0 .5μm的光刻图形 ,取得了较好的实验结果 ,并与其它邻近效应的校正方法进行了比较。

用灰阶编码掩模进行邻近效应校正的实验研究

利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法 ,设计并利用电子束直写系统加工了用于实现邻近效应校正的灰阶编码掩模 ,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正 ,获得了满意的实验结果 ,在可加工 0 7微米的I线曝光装置上获得了经邻近效应校正的 0 5微米光刻线条。

一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真

目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。

掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。

成品率驱动的光刻校正技术

光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制造中关键的技术。简要介绍了几种典型的光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导。

光学光刻的波前工程

介绍了国内研究光学光刻波前工程的一些成果,如新型移相掩模、投影光刻的邻近效应和掩模加工的邻近效应的组合模拟等。

光学光刻技术向纳米制造挺进

概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。

一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法

在一种新颖的快速光刻模拟算法的基础上 ,提出了一种新的基于稀疏空间点光强计算的二维成像轮廓提取算法 .该算法能够根据版图特点合理选择采样线的位置 ,有效地确定轮廓线存在的范围 ,并根据在采样线上光强单调分布的特性来快速地搜寻轮廓点 .实验表明 ,这是一种快速高效的轮廓提取方案 ,能够适应光学邻近校正中巨大的运算量 .

用灰阶编码掩模实现邻近效应精细校正的研究

提出了用灰阶编码的二元掩模代替灰阶掩模实现邻近效应精细校正的新方法 ,并阐述了新方法的特点。讨论了灰阶编码掩模与灰阶掩模的等效关系 ,给出了灰阶编码掩模实现光学邻近效应校正的模拟结果 ,校正后的综合面积偏差比校正前减少了 10 %。

一种基于SPLAT的离轴照明成像算法的研究与实现

如何提高光刻的分辨率已成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术。文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构造形式,介绍了部分相干的二维透射系统的仿真程序SPLAT的特点,并用SPLAT实现了一种新的照明结构,为实际开发光学邻近校正(OPC,OpticalProximityCorrection)仿真工具增加了新的功能。

一种适于快速OPC的精确光刻胶剖面仿真算法

光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片图形。改进的空间图像的基本思想是 ,用空间图像与一个高斯滤波器进行卷积 ,从而使图像较原来变得模糊 ,以此来模拟光刻胶的实际扩散效应。描述了一种适用于快速光学邻近校正 ( OPC)

激光直写邻近效应的校正

邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素，它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的原因，指出它和电子束直写及投影光刻的区别，提出了一种简便有效的邻近校正方法。实验表明，通过光学邻近校正（ＯＰＣ），利用微米级激光直写系统，制作出了０．

基于光刻模型的动态自适应切分OPC

光学邻近校正（OPC）技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方（recipe）,但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波、断线和桥连等现象.论文提出了一种新的基于光刻模型的动态自适应切分算法,根据不同的光刻模型和几何环境可以给出不同的切分,并且可在校正循环中动态改变切分方式和采样点的放置位置.通过90nm工艺下版图设计的验证,这种切分不仅减少了被切分出的小线段（segment）数量的10%-15%,节省了调试切分规则的时间,而且提高了OPC的质量,使PRV（post RET verification）错误率降低了35%.