大面积非晶硅光导薄膜的研制

应用PECVD工艺，研究了四层结构（电荷阻挡层、电荷输运层、光敏层、保护层）的非晶硅感光鼓。在充电电压为5000V，照度10lx下，带电电位可达650V。

掺Bi热蒸发CdS光导薄膜

本文用三种方法制备了掺Bi的CdS光导薄膜。一种方法是将Bi粉和CdS粉均匀混合蒸发;第二种方法是将CdS薄膜在CdS掺杂的Bi气氛中扩散,扩散温度为400～450℃;第三种方法是在CdS膜外再镀上一层很薄的Bi膜。文中介绍了它们的制备条件和光导特性,同时讨论了制备条件与光电导特性的关系。