小级数Ince-Gaussian光束光强模式分析

研究了因斯-高斯(IG)光束级数m较小时,分立光瓣模式的光强分布。通过数值模拟,对IG奇偶模式以及奇偶模式线性叠加生成的PIG分立光瓣模式的光强进行了分析。分析结果表明:m较小时,PIG分立光瓣模式光瓣的空间位置介于奇偶模式之间,但是光瓣的光强分布变化较为明显。同一模式光瓣角向椭圆变量越接近于椭圆长轴,其光强比重越大。在统一总光强后,相同阶数与级数的不同模式光瓣总光强与角向椭圆变量差为一个三次函数的关系。对于偶模椭圆长轴上的光瓣,随着该模式通过PIG^(π/2)模式转化为奇模,该光瓣上的光强分布逐渐由弥散向着逆时针方向集中。

反射式三角形光纤探头的光强分析

在几何光学原理的基础上，对反射式三角形光纤探头的光学特性进行了理论上的研究。

光散射粉尘传感器的尘染补偿方法及光强分布的研究

详细分析了光束通过含尘空气时的衰减特性和散射特性，提出了采用光散射法测定浮游粉尘浓度的方法，设计出双光路测尘传感器，对其光路系统的光强分布进行了分析，研究表明，该传感器可以自动补偿光学元件尘染带来的测量误差，光路中含尘空气对光强的衰减不大，但应考虑光学元件及其表面积尘的影响．

大面积分散电弧等离子体的ICCD图像分析

用增强型电荷耦合检测器(ICCD)和窄带干涉滤光片相结合的方法拍摄了未饱和氩等离子体的分散电弧的非饱和图像。对不同励磁电流下电弧形态的分析比较,证实了在强电磁力的作用下弧柱趋于扩散。在电弧完全分散条件下,对ICCD拍摄非饱和图像的光强分析,表明分散电弧具有较为均匀的分布。所采集的电弧电压的脉动幅度显著降低,分散电弧稳定运行。实验中观测到了稳定的多阴极弧根和弥散阴极弧根的现象,这表明电弧已扩散。

特征提取在近红外激光检测半导体内微缺陷中的应用

提出了利用近红外激光散射光强分布分析来检测半导体材料内部微体缺陷的检测方法。在研究广义洛仑兹 米氏理论 (GeneralizedLorenz MieTheory)的基础上 ,通过对理论上散射光强分布的分析 ,近红外激光散射光强分布空间FFT的截止频率被提取为判定半导体材料缺陷大小的判据 ,依据这一判据 ,可以快速的判定微体缺陷的大小。并通过对GaAs样品进行了实验研究 ,证明了该方法和判据的有效性。

激光物理

TN241 2002031701平面波经方环衍射后的光束质量评价=Beam qualityof plane waves diffracted by a rectangular annular aperture[刊,中]/卿与三,江东林,吕百达(四川大学激光物理与化学研究所.四川,成都(610064))//激光技术.-2001,25(5).-335-337在对平面波经方环衍射后远场光强分布分析的基础上,对其光束质量作了详细研究。

采用相位半角的两步相移法

针对经典两步相移算法对光强不均匀分布和物体不均匀反射率处理能力不强的问题,分析相移量为90°的情况,采用光强模型,直接对光强进行数据操作,利用三角关系,给出了求解折叠相位相位半角的计算方法,通过高度-相位差公式得到物体的三维形貌数据,避免了因归一化操作过程中取最值方法引起的误差.实验对比分析了经典四步相移法和两步移相法,表明在环境光强可以忽略不计或足够小的情况下,该方法误差范围为±0.2mm,结果优于经典两步相移法,接近于测量误差最小的四步相移法.

MEMS器件中的微体缺陷检测研究

为实现对硅基材料和MEMS器件内微体缺陷的无损、高效和准确检测 ,在研究广义洛仑兹 米氏散射理论的基础上 ,针对硅基材料和MEMS器件的物理特点 ,对球形缺陷与红外激光相互作用在非垂直方向散射光强分布特点进行了研究和计算机仿真 ,提出利用红外激光背散射分布分析对硅基材料和MEMS器件内部缺陷进行检测的方法 ,并通过实验验证了该方法的有效性。