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斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
1
作者
董小兵
张少云
徐传骧
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期623-626,共4页
采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较...
采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.
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关键词
硅器件
表面耗尽区
光感生电流
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职称材料
题名
斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
1
作者
董小兵
张少云
徐传骧
机构
西安交通大学电气工程学院
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期623-626,共4页
基金
国家"2 1 1工程"建设自制设备资助项目 (2 0 1 1 0 1 0 0 4C)
文摘
采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.
关键词
硅器件
表面耗尽区
光感生电流
Keywords
Induced currents
Laser beams
Silicon
Surface properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测
董小兵
张少云
徐传骧
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
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