利用Langmuir技术构筑的光抗蚀剂聚合物纳米薄膜的表面微观结构及在光刻蚀方面的应用(Ⅰ):气液界面上聚合物单分子膜表面行为的研究

合成了含有缩酮保护基团的共聚物聚N-十二烷基丙烯酰胺/1.4-二噁螺环[4,4]壬烷-2-亚甲基甲基丙烯酸酯pDDMA/DNMMA,并用Langmuir技术构建了单层和多层纳米超薄膜,用表面压(π)和静态弹性模量(Es)随平均重复单元面积(A)的变化研究了聚合物在气/液界面上的表面行为。研究结果表明,共聚物pDDMA/DNMMA能在水面上紧密排列,形成稳定的分子取向规整的Langmuir分子膜,其单层膜的厚度为1.6nm;分子的主链平躺在水面上,分子的侧链基团以与水面呈62°夹角向上伸展。与π-A曲线相比,Es-A曲线能更清楚直观地反映单分子层在挤压过程中微观结构的变化。Es-π曲线的研究为优化拉膜工艺条件提供了可靠依据。排列紧密的单分子膜在一定的表面压下,可单层、多层均匀的转移到固体基板上,形成规整有序层状结构的LB膜。

光敏聚酰亚胺的研究进展

光敏聚酰亚胺广泛用于微电子领域的绝缘层和保护层。采用非光敏聚酰亚胺时光刻工艺相当复杂，而使用光敏聚酰亚胺时图形加工工艺得到简化，因而引起人们的极大兴趣。本文综述了这类高分子材料的研究现状，并阐明了笔者的一些看法。

制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2

下一代PCB预测——技术将推动和左右市场

90年代的后一半将是最活跃、变化最多和充满挑战的时期。以硅为主、每个元件有更多的I/OS数和小心缩小元件尺寸的新的功能性将迎接(usher)更小的小型和轻便和更大功率的电子产品。提高SMT、TCP和阵列元件范围就要求稳定地增加基板上走线密度。采用专封装的KGD(Known goodunpackaged die即未封装的确认好的裸芯片)直接粘贴技术是互连潜在能力的进一步挑战。PCB具有好的性能价格比而被选为解决组装的能力。PCB能满足这些挑战是什么呢?

线宽达0.08微米

线宽达００８微米目前最先进的商用半导体图样是用０２５微米的加工技术制出的，而半导体工业协会根据来自工业界、政府部门和大学３００名科研人员的共同研究所设计的方案，要求公元２００９年实现００８微米线宽的目标。得克萨斯大学的重大突破之所以引人注目，是...