有偏压中心对称光折变晶体中的屏蔽孤子

给出了中心对称光折变晶体中屏蔽孤子的高阶空间电荷场.当高阶项可以忽略时,这个电荷场就变为早前在中心对称光折变晶体中研究的屏蔽孤子的空间电荷场.研究了中心对称光折变晶体中屏蔽孤子的高阶非线性波动方程.在适当的条件下,这个非线性波动方程能够展示明暗空间光孤子.这类晶体不同于非中心对称晶体,其非线性折射率的改变来源于二次电光效应,而不是一般的线性电光效应.应用光束传播的方法,对这些孤子的稳定性进行了讨论.表明在小的微扰下这类孤子是稳定的,不会发生分裂.

光折变晶体均匀多重全息图存储研究

本文推导了光折变晶体角度编码多重全息存储中写入均匀光栅时的曝光时间递推公式．分析了散射效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响，给出了两种因素影响下曝光时间计算的修正递推公式．数值计算结果表明，按照这种修正公式计算所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好，而且振幅相对较大，这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量．实验中以递推公式所得时间进行曝光记录，在厚度为０．

熔盐提拉法生长光折变晶体K(Ta,Nb)O_3

本文报道以熔盐提拉法生长大尺寸高质量的K(Ta,Nb)O_3晶体。完整透明的立方相KTN晶体尺寸达35x33x10mm。测量了晶体的组分、均匀性、电学和热学等性质。初步观察了晶体的光折变现象,并对晶体籽晶取向与生长形态关系等问题进行了讨论。

温度对光伏光折变晶体中高斯光束演化的影响

为了得到温度对有偏压光伏光折变晶体中高斯光束演化特性的影响结果,基于暗辐射强度对温度的依赖关系,研究了不同温度下高斯光束在光伏光折变晶体中的动态演化。将高斯光束作为入射波,采用数值方法求解波传播方程,当温度是300K时,与晶体匹配的高斯光束可演化成稳定的屏蔽光伏明孤子;当温度变化较大时,高斯光束变得不稳或者发散。在失配的条件下,通过改变晶体的温度能使一不稳定的高斯光束变成一稳定的明孤子波。结果表明,这种温度增加或减少控制下的光伏光折变晶体中高斯光束演化特性的改变有望应用于温控光器件。

加偏压光伏光折变晶体中低振幅屏蔽光伏明孤子的温度特性

在忽略扩散效应的条件下 ,讨论了加偏压光伏光折变晶体中低振幅屏蔽光伏明孤子的温度特性 当温度一定时 ,晶体中可形成稳态屏蔽光伏明孤子 ,当温度改变时 ,孤子由一稳态变为另一稳态 通过适当调节温度 。

有偏压的光伏光折变晶体中的空间灰孤子

正和完善了有偏压的光伏光折变晶体中空间孤子的非线性波动方程的理论 .当光伏效应可忽略时 ,它转化为屏蔽孤子的非线性波动方程 ;当外电场为零时 ,它转化为闭路和开路光伏孤子的非线性波动方程 .证明了有偏压的光伏光折变晶体中存在着空间灰孤子 .它起源于对外电场的非均匀空间屏蔽和光伏效应 .当光伏效应可忽略时 ,它转化为屏蔽灰孤子 ;当外电场为零闭路时 ,它预言了在光伏光折变晶体中存在着光伏灰孤子 .

Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合响应时间特性研究

在写入光分别为e光和o光时 ,实验测量了Ce :KNSBN晶体两波耦合响应时间与总写入光强、写入光强比和写入光夹角的关系 ,实验数据与理论拟合结果相吻合 ,并由晶体响应时间特性获得了晶体有效电光系数和有效光折变电荷密度参数。

掺铜KNSBN光折变晶体的光致吸收特性

掺铜 KNSBN(钾钠铌酸锶钡 )光折变晶体具有光致吸收 ( LIA)特性 .实验表明 ,泵浦光的光强越强 ,波长越短 ,L IA系数就越大 ,探测光为 e偏振态时的 L IA系数是 o光时的1 .2倍 .

光折变晶体中双光束耦合的解析解

光折变晶体中二波耦合过程也是全息记录的过程，本文将描述二波耦合的耦合波方程与描述光折变全息的Ｋｕｋｈｔａｒｅｖ 方程联立，基于Ｍｏｈａｒａｍ 的场函数，以光强调制度为主要变量，求得了适用于任意的干涉光强调制度及任意常量光激发效率下的耦合的两束光波在稳态时的解，进而得出热激发对光波耦合的影响．

光折变晶体多重全息存储衍射效率均匀性的研究

推导出了全息多重存储时间递减曝光法各幅图象写入时间的解析表达式，研究了时间递减法和循环曝光法单次曝光时间、总曝光时间以及循环次数随存储图象的幅数之间的变化关系，结果表明时间递减法不但对记录系统的要求较低，而且也可获得相当均匀的衍射效率．

光折变晶体中光诱导波导的折射率分布

分别讨论了亮孤子和暗孤子在光折变晶体中诱导波导的折射率分布 ,结果表明光诱导波导的折射率分布除与光强的倒数有关外 ,还与光强对数的一阶导数有关 .

光折变晶体内的光振荡和光学限幅器

提出了一种利用光折变晶体光振荡的光学限幅器,在SBN晶体中得到了口字型和8字型光振荡通路,给出了光振荡的阈值条件以及作为光学限幅器的透射率与耦合系数的关系,并讨论了控制光振荡形式以改变限幅器性能的途径。

Cr:KNSBN光折变晶体的非线性特性

实验利用非同时读出的方法，采用两波耦合实验装置，研究了e偏振光写入情况下，Cr：KNSBN光折变晶体两波耦合写入体光栅的衍射效率与响应时间随写入光各参数的变化关系，并对实验结果进行了理论模拟，结果表明，当3写入光夹角在10。～25°范围内时，衍射效率达20％以上；在写入光总光强为0．04w／cm^2，写入光光强比为0．33，两束光夹角为12°时，响应时间为5．

温度对光伏光折变晶体中高斯光束自偏转的影响

基于扩散效应及暗辐射强度对温度的依赖关系,研究了温度对有偏压光伏光折变晶体中高斯光束自偏转特性的影响。将高斯光束作为入射类孤子波,采用数值方法求解含扩散项的波传播方程。结果表明,当晶体的温度在一定的范围内变化时,光束中心沿一抛物线轨迹偏转,并且光束中心偏转距离随温度的增加而增加,在一个特定温度处达到最大值,之后随温度的增加而减小。当温度发生足够大的变化时,高斯光束将不稳定甚至崩溃。通过调节晶体的温度能改变高斯光束的自偏转。

高斯光束在光伏光折变晶体中的孤波演化

研究了光伏场和外电场对高斯光束在铌酸锂和碳酸钡晶体中演化特性的影响 .结果表明 ,光伏场和外电场对高斯光束的演化特性均有显著影响 .

Compton散射下光折变晶体中的孤子传输特性

应用多光子非线性Compton散射模型和耦合非线性薛定谔方程,研究了Compton散射下光折变晶体中的孤子传输特性,结果表明,光折变晶体热透镜效应的实质,是晶体内形成的光孤子与空间电荷场中的孤子传输与耦合的过程,其耦合特性不仅与两波导中的孤子的相对相位有关,而且与Compton散射有关。两波导中的孤子的相对相位相同或相反,散射都会使它们之间发生能量交换和交换能量的周期发生变化,从而使形成的孤子的轮廓变得模糊。即使光沿着晶体的光轴方向传输,也有发生双折射的可能性。

光折变晶体中共面多光束干涉研究

构用共面多光束干涉在光折变晶体中形成了对比度较大的一维、二维周期性晶格微结构。理论和实验对比研究了共面双光束和多光束在光折变晶体中会聚相干形成周期微结构的分布规律和影响因素。在相干理论的基础上,建立了具有普适性的共面多光束相干数学模型,数值模拟了n(n=1,2,3,4,5,6)束共面激光相干光场的光强分布规律。实验结果表明,干涉光场图案分布同数值模拟相吻合。实验中进一步讨论了相干系统各参数变化对干涉效果的影响,并通过全息记录在铁电铌酸锂晶体中构造出了同多光束干涉场光强分布对应的光子晶格微结构。

光折变晶体中扇形噪声及其抑制方法的研究进展

介绍了光折变晶体中扇形噪声的类型、应用及在各种晶体中观察到的扇形效应,并对扇形效应的形成机理进行了分析,认为扇形噪声的建立依赖于晶体中的多组两波耦合.重点介绍了近三十年来,分别基于尺寸效应,噪声栅建立的时间、强度和空间特性,非相干两波耦合理论及斩波调制理论建立的四类抑制扇形噪声的方法.

光折变晶体中多重全息图分批定影热固定的研究

首次描述了多重全息图分批定影热固定的记录—补偿—多次光擦除及平滑—显影的存储固定机制 ,并据此对分批存储定影过程中的全息电子光栅和离子光栅的行为进行了详细理论分析。研究结果表明 ,多次光擦除平滑阶段中获陷电子对离子光栅的屏蔽作用所引起的光擦除减缓效应 ,是分批定影热固定法能够有效提高多重全息图固定后衍射效率的根本原因。

掺杂对光折变晶体性能的影响

以钛酸钡（ＢａＴｉＯ３，ＢＴＯ），铌酸锶钡（ＳｒｘＢａ１－ｘＮｂ２Ｏ６，ＳＢＮ）和铌酸钾钠锶钡［（Ｋ１－ｙＮａｙ）０．４（ＳｒｘＢａ１－ｘ）０．８Ｎｂ２Ｏ６，ＫＮＳＢＮ］为例，评述掺杂对提高光折变晶体性能的重要作用。