Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。

抛物量子点的光折射率

利用精确对角化方法计算了带有类氢施主杂质的量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础上计算了抛物量子点由基态(L=0态)跃迁到第一激发态(L=1态)的光折射率改变量,并与无杂质量子点的结果作对比.

施主杂质量子点的光折射率

利用精确对角化方法计算了两个电子在施主杂质抛物势量子点的能量和波函数,通过密度矩阵方法得到光折射率改变量的表达式,在这基础上计算了杂质量子点由1 S态跃迁到1 P态的光折射率改变量,并对杂质的电荷量不同的杂质量子点的结果进行分析.

快速响应的光致折射率改变效应的实验研究

在LiNbO3∶Fe晶体薄片中观察到快速响应 (<0 1s)、各向同性、并具有信息存储功能的一种光致折射率改变效应 .基于它的特征及其与光折变效应的区别 。

掺偶氮苯聚合物的光致折射率改变特性

采用表面反射方法研究块状掺偶氮苯聚合物的光致折射率改变特性及其与光强的依赖关系。实验中,使用514 nm的圆偏振Ar+激光作为抽运光,632. 8 nm的He Ne激光(s偏振)作为探测光。通过改变探测光入射角,测量样品在固定光强(0 570 W/cm2)的前向抽运光激励下表面反射率的改变量,研究样品的折射率改变特性,发现样品的光致折射率改变约为-0 .0035;研究了这种效应对抽运光强度的依赖关系,发现光致折射率改变随抽运光强度增大而增大,当抽运光强为0. 800 W/cm2 时,折射率改变量可达10-2量级。