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光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究
被引量:
3
1
作者
沙亚男
李树荣
+3 位作者
郭维廉
郑云光
毛陆虹
张培宁
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期11-13,16,共4页
光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率...
光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。
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关键词
双基区晶体管
光电负阻器件
光控脉冲振荡器
下载PDF
职称材料
题名
光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究
被引量:
3
1
作者
沙亚男
李树荣
郭维廉
郑云光
毛陆虹
张培宁
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期11-13,16,共4页
基金
光电子集成联合实验室
中科院半导体所实验区开放课题资助项目
天津市自然科学基金资助项目! ( 983 60 14 11)
文摘
光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。
关键词
双基区晶体管
光电负阻器件
光控脉冲振荡器
Keywords
Photoelectronic dual base transistor
Photoelectronic negative resistance device
Light controlled pulse oscillator
分类号
TN364.3 [电子电信—物理电子学]
TN752 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究
沙亚男
李树荣
郭维廉
郑云光
毛陆虹
张培宁
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
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