减小光刻中驻波效应的新方法研究

光刻过程中 ,抗蚀剂内部光敏混合物 (PAC)浓度受光场的影响呈驻波分布 ,导致抗蚀剂显影后的侧壁轮廓成锯齿状。分析了后烘 (PEB)对PAC浓度分布的影响 ,模拟了不同后烘扩散长度下的抗蚀剂显影轮廓 ,从模拟结果可知利用后烘可明显减小驻波效应 ,得到平滑的抗蚀剂显影轮廓 ,提高光刻质量。

光刻胶烘培特性研究

通过研究光刻胶厚度与烘培过程中光敏混合物(PAC)浓度分布的关系,对光刻胶前烘模型进行了修正,得出了光刻胶内 PAC 相对浓度与光刻胶厚度、烘培温度和烘培时间之间的函数关系。设计了求解光刻胶激活能 E0和 Arrhenius 系数 Ar的实验方案,并以 AZ50XT 正型紫外光刻胶为例开展了实验研究。结果表明,对不同厚度的光刻胶,可以通过调整烘培温度或烘培时间达到所需要的 PAC 浓度。

后烘对驻波效应的影响分析

研究了不同后烘情况下的PAC浓度分布和抗蚀剂的显影轮廓,结果表明适当的后烘可明显减小驻波缺陷,提高光刻质量,而过量的后烘将会导致抗蚀剂图形结构劣化。