Zn∶In∶LiNbO_3晶体抗光损伤性能的研究

在LiNbO3 中掺进ZnO和In2 O3 以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3 晶体。采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力。Zn∶In∶LiNbO3 晶体抗光损伤能力比LiNbO3 晶体提高二个数量级。测试晶体的红外光谱 ,Zn∶In∶LiNbO3 晶体吸收峰的位置相对LiNbO3 晶体发生紫移 ,且随着Zn2 + 和In3 + 浓度增加紫移程度增加。晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率 )研究表明 :Zn∶In∶LiNbO3 晶体相位匹配温度在室温附近。并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理。