光激发半导体硅片对宽带太赫兹波的调制研究

利用光泵浦-太赫兹(THz)探测(OPTP)技术,研究了THz波在Si半导体界面间的传输行为。通过改变抽运光密度从而改变样品表面的载流子浓度,实现对THz波透射/反射的有效调制。在外加中心波长为800nm的飞秒激光激发块体半导体Si片时,成功实现了对宽带THz波时域谱包括入射THz脉冲振幅和相位以及THz波次级反射峰抗反射的调制。光激发Si片可以获得任意载流子浓度的Si片实现对THz脉冲振幅的调制,调制度达到90%以上;光激发Si片能够使THz脉冲的相位发生负延迟,随着泵浦光密度的增加,负的相移越来越明显,随着频率的增高,负的相移也越来越明显;光激发Si片还能够对THz波的次级反射峰进行调制,随着泵浦光密度的改变,实现对次级反射峰的π相位以及次级反射峰抗反射的调制。光激发Si片对宽带THz波时域谱的调制为THz波在通信、国防安全等领域的应用奠定了基础。